Wafer de silicone tipo P de 6 polegadas

Breve descrição:

O wafer de silício tipo P de 6 polegadas da VET Energy é um material de base semicondutor de alta qualidade, amplamente utilizado na fabricação de vários dispositivos eletrônicos. A VET Energy usa um processo avançado de crescimento CZ para garantir que o wafer tenha excelente qualidade de cristal, baixa densidade de defeitos e alta uniformidade.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

A linha de produtos da VET Energy não se limita às pastilhas de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, Epi Wafer, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outros campos.

Campos de aplicação:
Circuitos integrados:Como material básico para a fabricação de circuitos integrados, os wafers de silício tipo P são amplamente utilizados em vários circuitos lógicos, memórias, etc.
Dispositivos de energia:Wafers de silício tipo P podem ser usados ​​para fabricar dispositivos de potência, como transistores de potência e diodos.
Sensores:Os wafers de silício tipo P podem ser usados ​​para fazer vários tipos de sensores, como sensores de pressão, sensores de temperatura, etc.
Células solares:Os wafers de silício tipo P são um componente importante das células solares.

A VET Energy fornece aos clientes soluções personalizadas de wafer e pode personalizar wafers com diferentes resistividades, diferentes conteúdos de oxigênio, diferentes espessuras e outras especificações de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados no processo de produção.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

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