A linha de produtos da VET Energy não se limita às pastilhas de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, Epi Wafer, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outros campos.
Campos de aplicação:
•Circuitos integrados:Como material básico para a fabricação de circuitos integrados, os wafers de silício tipo P são amplamente utilizados em vários circuitos lógicos, memórias, etc.
•Dispositivos de energia:Wafers de silício tipo P podem ser usados para fabricar dispositivos de potência, como transistores de potência e diodos.
•Sensores:Os wafers de silício tipo P podem ser usados para fazer vários tipos de sensores, como sensores de pressão, sensores de temperatura, etc.
•Células solares:Os wafers de silício tipo P são um componente importante das células solares.
A VET Energy fornece aos clientes soluções personalizadas de wafer e pode personalizar wafers com diferentes resistividades, diferentes conteúdos de oxigênio, diferentes espessuras e outras especificações de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados no processo de produção.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Urdidura (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borda de wafer | Chanfrar |
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabamento de superfície | Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
Rugosidade da Superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Fichas de borda | Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm) | ||||
Recuos | Nenhum permitido | ||||
Arranhões (Si-Face) | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | ||
Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
Exclusão de borda | 3mm |