Wafer epitaxial de carboneto de silício (SiC)

O wafer epitaxial de carboneto de silício (SiC) VET Energy é um material semicondutor de banda larga de alto desempenho com excelente resistência a altas temperaturas, alta frequência e características de alta potência. É um substrato ideal para a nova geração de dispositivos eletrônicos de potência. A VET Energy usa tecnologia epitaxial MOCVD avançada para cultivar camadas epitaxiais de SiC de alta qualidade em substratos de SiC, garantindo excelente desempenho e consistência do wafer.

Nosso Wafer Epitaxial de Carboneto de Silício (SiC) oferece excelente compatibilidade com uma variedade de materiais semicondutores, incluindo Wafer de Si, Substrato de SiC, Wafer de SOI e Substrato de SiN. Com sua camada epitaxial robusta, ele suporta processos avançados, como crescimento de Epi Wafer e integração com materiais como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, garantindo uso versátil em diferentes tecnologias. Projetado para ser compatível com sistemas de manuseio de cassetes padrão da indústria, garante operações eficientes e simplificadas em ambientes de fabricação de semicondutores.

A linha de produtos da VET Energy não se limita aos wafers epitaxiais de SiC. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Além disso, também estamos desenvolvendo ativamente novos materiais semicondutores de amplo bandgap, como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, para atender à futura demanda da indústria de eletrônica de potência por dispositivos de maior desempenho.