CVD-SiCpowłoka charakteryzuje się jednolitą strukturą, zwartym materiałem, odpornością na wysoką temperaturę, odpornością na utlenianie, wysoką czystością, odpornością na kwasy i zasady oraz odczynnikiem organicznym, o stabilnych właściwościach fizycznych i chemicznych.

W porównaniu z materiałami grafitowymi o wysokiej czystości, grafit zaczyna się utleniać w temperaturze 400°C, co powoduje utratę proszku w wyniku utleniania, co powoduje zanieczyszczenie środowiska urządzeń peryferyjnych i komór próżniowych oraz zwiększa zanieczyszczenie środowiska o wysokiej czystości.

Jednakże powłoka SiC może utrzymać stabilność fizyczną i chemiczną w temperaturze 1600 stopni. Jest szeroko stosowana w nowoczesnym przemyśle, zwłaszcza w przemyśle półprzewodników.

Nasza firma świadczy usługi w zakresie powlekania SiC metodą CVD na powierzchni grafitu, ceramiki i innych materiałów, dzięki czemu specjalne gazy zawierające węgiel i krzem reagują w wysokiej temperaturze uzyskując cząsteczki SiC o wysokiej czystości, cząsteczki osadzone na powierzchni powlekanych materiałów, tworząc warstwę ochronną SIC. Utworzony SIC jest trwale związany z bazą grafitową, nadając bazie grafitowej specjalne właściwości, dzięki czemu powierzchnia grafitu jest zwarta, wolna od porowatości, odporna na wysokie temperatury, odporność na korozję i odporność na utlenianie.

Główne cechy:

1. Odporność na utlenianie w wysokiej temperaturze:

odporność na utlenianie jest nadal bardzo dobra, gdy temperatura wynosi aż 1600 C.

2. Wysoka czystość: uzyskana przez chemiczne osadzanie z fazy gazowej w warunkach chlorowania w wysokiej temperaturze.

3. Odporność na erozję: wysoka twardość, zwarta powierzchnia, drobne cząstki.

4. Odporność na korozję: kwasy, zasady, sól i odczynniki organiczne.

Główne specyfikacje powłok CVD-SIC: