4-calowy wafel GaAs firmy VET Energy jest niezbędnym materiałem do szybkich i optoelektronicznych urządzeń, w tym wzmacniaczy RF, diod LED i ogniw słonecznych. Płytki te są znane ze swojej wysokiej ruchliwości elektronów i zdolności do pracy przy wyższych częstotliwościach, co czyni je kluczowym elementem w zaawansowanych zastosowaniach półprzewodników. VET Energy zapewnia najwyższej jakości płytki GaAs o jednolitej grubości i minimalnych defektach, odpowiednie do szeregu wymagających procesów produkcyjnych.
Te 4-calowe płytki GaAs są kompatybilne z różnymi materiałami półprzewodnikowymi, takimi jak wafle Si, podłoże SiC, wafle SOI i podłoże SiN, co czyni je uniwersalnymi w zakresie integracji z różnymi architekturami urządzeń. Niezależnie od tego, czy są wykorzystywane do produkcji płytek Epi, czy też wraz z najnowocześniejszymi materiałami, takimi jak tlenek galu Ga2O3 i wafle AlN, stanowią niezawodną podstawę dla elektroniki nowej generacji. Ponadto płytki są w pełni kompatybilne z systemami obsługi opartymi na kasetach, zapewniając płynne działanie zarówno w środowiskach badawczych, jak i produkcyjnych na dużą skalę.
VET Energy oferuje kompleksową gamę podłoży półprzewodnikowych, w tym wafle Si, podłoże SiC, wafle SOI, podłoże SiN, wafle Epi, tlenek galu Ga2O3 i wafle AlN. Nasza zróżnicowana linia produktów zaspokaja potrzeby różnych zastosowań elektronicznych, od energoelektroniki po RF i optoelektronikę.
VET Energy oferuje konfigurowalne płytki GaAs, aby spełnić Twoje specyficzne wymagania, w tym różne poziomy domieszkowania, orientacje i wykończenia powierzchni. Nasz zespół ekspertów zapewnia wsparcie techniczne i obsługę posprzedażną, aby zapewnić Twój sukces.
SPECYFIKACJA WAFERÓW
*n-Pm=typ n Pm-Grade,n-Ps=typ n-Ps-Grade,Sl=półizolujący
Przedmiot | 8-calowy | 6-calowy | 4-calowy | ||
nP | popołudniu | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Łuk(GF3YFCD)-Wartość absolutna | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Wypaczenie (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Krawędź wafla | Fazowanie |
WYKOŃCZENIE POWIERZCHNI
*n-Pm=typ n Pm-Grade,n-Ps=typ n-Ps-Grade,Sl=półizolujący
Przedmiot | 8-calowy | 6-calowy | 4-calowy | ||
nP | popołudniu | n-Ps | SI | SI | |
Wykończenie powierzchni | Dwustronny lakier optyczny, Si-Face CMP | ||||
Chropowatość powierzchni | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Chipy krawędziowe | Brak Dozwolone (długość i szerokość ≥0,5 mm) | ||||
Wcięcia | Brak Dozwolone | ||||
Zadrapania (Si-Face) | Ilość ≤5, skumulowane | Ilość ≤5, skumulowane | Ilość ≤5, skumulowane | ||
Spękanie | Brak Dozwolone | ||||
Wykluczenie krawędzi | 3mm |