ਖ਼ਬਰਾਂ

ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ GaN ਅਤੇ ਸੰਬੰਧਿਤ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ
24-06-25 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
1. ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਜਿਵੇਂ ਕਿ Si ਅਤੇ Ge ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। ਇਹ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਅਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਪਦਾਰਥਕ ਆਧਾਰ ਹੈ। ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨੇ ਐਫ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ 'ਤੇ ਪੋਰਸ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ 'ਤੇ ਸੰਖਿਆਤਮਕ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਅਧਿਐਨ
24-06-18 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਬੁਨਿਆਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਕੱਚੇ ਮਾਲ ਦੇ ਉੱਚੇਪਣ ਅਤੇ ਸੜਨ, ਤਾਪਮਾਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਦੇ ਤਹਿਤ ਗੈਸ ਪੜਾਅ ਦੇ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੀ ਆਵਾਜਾਈ, ਅਤੇ ਬੀਜ ਕ੍ਰਿਸਟਲ 'ਤੇ ਗੈਸ ਪੜਾਅ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੇ ਮੁੜ-ਕ੍ਰਿਸਟਾਲੀਕਰਨ ਵਾਧੇ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਇਸ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
24-06-17 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਇੱਕ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਕਤ ਵਾਲੀ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਮਹਾਨ ਬਿਜਲਈ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ। ਇਹ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਗਰਮੀ ਦੇ ਇਲਾਜ ਅਤੇ ਉੱਚ ਦਬਾਅ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਕੁਦਰਤੀ ਜਾਂ ਨਕਲੀ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਦਾ ਬਣਿਆ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਪਤਲੇ ਫਿਲਮ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ - PECVD/LPCVD/ALD ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਅਤੇ ਉਪਯੋਗ
24-06-12 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਦੀ ਮੁੱਖ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਮੱਗਰੀ 'ਤੇ ਫਿਲਮ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਨੂੰ ਕੋਟ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਇਹ ਫਿਲਮ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਤੋਂ ਬਣਾਈ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਕੰਪਾਊਂਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਡਾਈਆਕਸਾਈਡ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ, ਮੈਟਲ ਕਾਪਰ, ਆਦਿ। ਕੋਟਿੰਗ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਨਾਂ ਨੂੰ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਸਮੱਗਰੀ ਜੋ ਮੋਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦੀ ਹੈ - ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ
24-06-12 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਮੋਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਦੀ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਥਰਮਲ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇੱਕ ਚੰਗਾ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਉੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲੀਕਰਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਹੈ। ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਦਾ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ ਫਰਨੇਸ ਦੀਆਂ ਤਕਨੀਕੀ ਮੁਸ਼ਕਲਾਂ ਕੀ ਹਨ?
24-06-07 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ ਫਰਨੇਸ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧੇ ਲਈ ਮੁੱਖ ਉਪਕਰਣ ਹੈ। ਇਹ ਰਵਾਇਤੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਗ੍ਰੇਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਭੱਠੀ ਦੇ ਸਮਾਨ ਹੈ. ਭੱਠੀ ਦਾ ਢਾਂਚਾ ਬਹੁਤ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਨਹੀਂ ਹੈ. ਇਹ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਫਰਨੇਸ ਬਾਡੀ, ਹੀਟਿੰਗ ਸਿਸਟਮ, ਕੋਇਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਨਾਲ ਬਣਿਆ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਲੇਅਰ ਦੇ ਕੀ ਨੁਕਸ ਹਨ
24-06-05 ਨੂੰ ਪ੍ਰਸ਼ਾਸਕ ਦੁਆਰਾ
SiC epitaxial ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਵਾਧੇ ਲਈ ਮੁੱਖ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਨੁਕਸ ਨਿਯੰਤਰਣ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਹੈ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੁਕਸ ਨਿਯੰਤਰਣ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਲਈ ਜੋ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਅਸਫਲਤਾ ਜਾਂ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਵਿੱਚ ਗਿਰਾਵਟ ਦਾ ਸ਼ਿਕਾਰ ਹੈ। ਏਪੀਆਈ ਵਿੱਚ ਫੈਲਣ ਵਾਲੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੁਕਸ ਦੀ ਵਿਧੀ ਦਾ ਅਧਿਐਨ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਆਕਸੀਡਾਈਜ਼ਡ ਖੜ੍ਹੇ ਅਨਾਜ ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀ-Ⅱ
24-05-30 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
3. ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਥਿਨ ਫਿਲਮ ਗ੍ਰੋਥ ਸਬਸਟਰੇਟ Ga2O3 ਪਾਵਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਭੌਤਿਕ ਸਹਾਇਤਾ ਪਰਤ ਜਾਂ ਸੰਚਾਲਕ ਪਰਤ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਅਗਲੀ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪਰਤ ਚੈਨਲ ਪਰਤ ਜਾਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਹੈ ਜੋ ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰ ਟ੍ਰਾਂਸਪੋਰਟ ਲਈ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ ਵਧਾਉਣ ਅਤੇ ਕੰਡਕ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਗੈਲਿਅਮ ਆਕਸਾਈਡ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀ
24-05-30 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਸਿਲਿਕਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਅਤੇ ਗੈਲਿਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ (GaN) ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਏ ਵਾਈਡ ਬੈਂਡਗੈਪ (WBG) ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਨੇ ਵਿਆਪਕ ਧਿਆਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਹੈ। ਲੋਕਾਂ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਾਹਨਾਂ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਗਰਿੱਡਾਂ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੀਆਂ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਗੈਲਿਅਮ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੀਆਂ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਲਈ ਉੱਚ ਉਮੀਦਾਂ ਹਨ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ