समाचार

अर्धचालक क्षेत्र मा सिलिकन कार्बाइड सिरेमिक को आवेदन
24-10-10 मा व्यवस्थापक द्वारा
फोटोलिथोग्राफी मेसिनहरूको सटीक भागहरूको लागि रुचाइएको सामग्री सेमीकन्डक्टर फिल्डमा, सिलिकन कार्बाइड सिरेमिक सामग्रीहरू मुख्यतया एकीकृत सर्किट निर्माणका लागि प्रमुख उपकरणहरूमा प्रयोग गरिन्छ, जस्तै सिलिकन कार्बाइड कार्यतालिका, गाईड रेलहरू, रिफ्लेक्टरहरू, सिरेमिक सक्शन चक, हतियार, जी...
थप पढ्नुहोस्
0 एकल क्रिस्टल फर्नेसका छवटा प्रणालीहरू के हुन्
24-09-23 मा व्यवस्थापक द्वारा
एकल क्रिस्टल फर्नेस एक उपकरण हो जसले अक्रिय ग्यास (आर्गन) वातावरणमा पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकन सामग्रीहरू पगाल्न ग्रेफाइट हीटर प्रयोग गर्दछ र गैर-डिस्लोकेटेड एकल क्रिस्टलहरू बढ्न Czochralski विधि प्रयोग गर्दछ। यो मुख्यतया निम्न प्रणालीहरू मिलेर बनेको छ: मेकानिकल...
थप पढ्नुहोस्
हामीलाई एकल क्रिस्टल फर्नेसको थर्मल क्षेत्रमा ग्रेफाइट किन चाहिन्छ
24-09-23 मा व्यवस्थापक द्वारा
ठाडो एकल क्रिस्टल फर्नेसको थर्मल प्रणालीलाई थर्मल फिल्ड पनि भनिन्छ। ग्रेफाइट थर्मल फिल्ड प्रणालीको कार्यले सिलिकन सामग्रीहरू पग्लने र एकल क्रिस्टल वृद्धिलाई निश्चित तापमानमा राख्ने सम्पूर्ण प्रणालीलाई जनाउँछ। सरल शब्दमा भन्नुपर्दा, यो एक पूर्ण ग्रेप हो ...
थप पढ्नुहोस्
पावर सेमीकन्डक्टर वेफर काटनका लागि धेरै प्रकारका प्रक्रियाहरू
24-09-20 मा व्यवस्थापक द्वारा
वेफर काटन पावर अर्धचालक उत्पादन मा एक महत्वपूर्ण लिङ्क हो। यो चरण सेमीकन्डक्टर वेफर्सबाट व्यक्तिगत एकीकृत सर्किट वा चिपहरू सही रूपमा अलग गर्न डिजाइन गरिएको हो। वेफर काट्ने कुञ्जी भनेको नाजुक संरचना सुनिश्चित गर्दै व्यक्तिगत चिपहरू अलग गर्न सक्षम हुनु हो।
थप पढ्नुहोस्
BCD प्रक्रिया
24-09-18 मा व्यवस्थापक द्वारा
BCD प्रक्रिया के हो? बीसीडी प्रक्रिया एकल-चिप एकीकृत प्रक्रिया प्रविधि हो जुन ST द्वारा 1986 मा पहिलो पटक प्रस्तुत गरिएको थियो। यो प्रविधिले एउटै चिपमा द्विध्रुवी, CMOS र DMOS उपकरणहरू बनाउन सक्छ। यसको उपस्थितिले चिपको क्षेत्रलाई धेरै कम गर्छ। यो भन्न सकिन्छ कि BCD प्रक्रियाले पूर्ण रूपमा प्रयोग गर्दछ ...
थप पढ्नुहोस्
BJT, CMOS, DMOS र अन्य अर्धचालक प्रक्रिया प्रविधिहरू
24-09-10 मा व्यवस्थापक द्वारा
उत्पादन जानकारी र परामर्शको लागि हाम्रो वेबसाइटमा स्वागत छ। हाम्रो वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ सेमीकन्डक्टर उत्पादन प्रक्रियाहरूले सफलताहरू बनाउन जारी राख्दा, "मूरको कानून" भनिने एक प्रसिद्ध कथन उद्योगमा फैलिएको छ। यो p थियो...
थप पढ्नुहोस्
अर्धचालक ढाँचा प्रक्रिया प्रवाह नक्काशी
24-09-10 मा व्यवस्थापक द्वारा
प्रारम्भिक भिजेको नक्काशीले सफाई वा खरानी प्रक्रियाको विकासलाई बढावा दियो। आज, प्लाज्मा प्रयोग गरेर ड्राई एचिंग मुख्यधारा नक्कली प्रक्रिया भएको छ। प्लाज्मामा इलेक्ट्रोन, क्यासन र रेडिकलहरू हुन्छन्। प्लाज्मामा लागू हुने ऊर्जाले t को बाहिरी इलेक्ट्रोनहरू निम्त्याउँछ ...
थप पढ्नुहोस्
८ इन्च SiC एपिटेक्सियल फर्नेस र होमोएपिटेक्सियल प्रक्रियामा अनुसन्धान-Ⅱ
24-09-04 मा व्यवस्थापक द्वारा
२ प्रयोगात्मक नतिजा र छलफल २.१ एपिटेक्सियल लेयर मोटाई र एकरूपता एपिटेक्सियल लेयर मोटाई, डोपिङ एकाग्रता र एकरूपता एपिटेक्सियल वेफर्सको गुणस्तर निर्धारण गर्नका लागि मुख्य सूचकहरू मध्ये एक हो। सही नियन्त्रण योग्य मोटाई, डोपिङ सह ...
थप पढ्नुहोस्
८ इन्च SiC एपिटेक्सियल फर्नेस र होमोएपिटेक्सियल प्रक्रियामा अनुसन्धान-Ⅰ
24-09-04 मा व्यवस्थापक द्वारा
हाल, SiC उद्योग 150 mm (6 इन्च) बाट 200 mm (8 इन्च) मा परिवर्तन हुँदैछ। उद्योगमा ठूलो आकारको, उच्च-गुणस्तरको SiC homoepitaxial wafers को तत्काल माग पूरा गर्न, 150mm र 200mm 4H-SiC homoepitaxial wafers सफलतापूर्वक तयार गरियो...
थप पढ्नुहोस्