समाचार

तेस्रो पुस्ताको अर्धचालक GaN र सम्बन्धित एपिटेक्सियल टेक्नोलोजीको परिचय
24-06-25 मा व्यवस्थापक द्वारा
1. तेस्रो-पुस्ताको अर्धचालकहरू Si र Ge जस्ता अर्धचालक सामग्रीहरूमा आधारित पहिलो पुस्ताको अर्धचालक प्रविधि विकसित गरिएको थियो। यो ट्रान्जिस्टर र एकीकृत सर्किट प्रविधि को विकास को लागि भौतिक आधार हो। पहिलो पुस्ताको अर्धचालक सामग्रीले f राख्यो...
थप पढ्नुहोस्
सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धिमा छिद्रपूर्ण ग्रेफाइटको प्रभावमा संख्यात्मक सिमुलेशन अध्ययन
24-06-18 मा व्यवस्थापक द्वारा
SiC क्रिस्टल बृद्धिको आधारभूत प्रक्रियालाई उच्च तापक्रममा कच्चा पदार्थको उदात्तीकरण र विघटन, तापक्रम ढाँचाको कार्य अन्तर्गत ग्यास चरणका पदार्थहरूको ढुवानी, र बीज क्रिस्टलमा ग्यास चरण पदार्थहरूको पुन: स्थापना वृद्धिमा विभाजन गरिएको छ। यसैको आधारमा...
थप पढ्नुहोस्
विशेष ग्रेफाइट को प्रकार
24-06-17 मा व्यवस्थापक द्वारा
विशेष ग्रेफाइट उच्च शुद्धता, उच्च घनत्व र उच्च बल ग्रेफाइट सामग्री हो र उत्कृष्ट जंग प्रतिरोध, उच्च तापमान स्थिरता र उत्कृष्ट विद्युत चालकता छ। यो उच्च तापमान गर्मी उपचार र उच्च दबाव प्रशोधन पछि प्राकृतिक वा कृत्रिम ग्रेफाइट बनेको छ ...
थप पढ्नुहोस्
पातलो फिल्म निक्षेप उपकरणको विश्लेषण - PECVD/LPCVD/ALD उपकरणको सिद्धान्त र अनुप्रयोगहरू
24-06-12 मा व्यवस्थापक द्वारा
पातलो फिलिम डिपोजिसन भनेको अर्धचालकको मुख्य सब्सट्रेट सामग्रीमा फिल्मको तह कोट गर्नु हो। यो फिल्म विभिन्न सामग्रीहरूबाट बनाइन्छ, जस्तै इन्सुलेट कम्पाउन्ड सिलिकन डाइअक्साइड, सेमीकन्डक्टर पोलिसिलिकन, मेटल कपर, आदि। कोटिंगको लागि प्रयोग गरिने उपकरणलाई पातलो फिल्म डिपोजिसन भनिन्छ।
थप पढ्नुहोस्
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन वृद्धिको गुणस्तर निर्धारण गर्ने महत्त्वपूर्ण सामग्री - थर्मल क्षेत्र
24-06-12 मा व्यवस्थापक द्वारा
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकनको वृद्धि प्रक्रिया थर्मल क्षेत्रमा पूर्ण रूपमा गरिन्छ। राम्रो थर्मल क्षेत्र क्रिस्टलको गुणस्तर सुधार गर्न अनुकूल छ र उच्च क्रिस्टलीकरण दक्षता छ। थर्मल फिल्डको डिजाइनले ठूलो मात्रामा तापमान ढाँचामा परिवर्तनहरू निर्धारण गर्दछ ...
थप पढ्नुहोस्
सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसको प्राविधिक कठिनाइहरू के हुन्?
24-06-07 मा व्यवस्थापक द्वारा
क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल बृद्धिको लागि मुख्य उपकरण हो। यो परम्परागत क्रिस्टलीय सिलिकन ग्रेड क्रिस्टल वृद्धि भट्टी जस्तै छ। भट्टी संरचना धेरै जटिल छैन। यो मुख्यतया फर्नेस बडी, तताउने प्रणाली, कुंडल प्रसारण संयन्त्रबाट बनेको छ ...
थप पढ्नुहोस्
सिलिकन कार्बाइड epitaxial तह को दोष के हो?
24-06-05 मा व्यवस्थापक द्वारा
SiC epitaxial सामाग्री को विकास को लागी कोर टेक्नोलोजी पहिले दोष नियन्त्रण टेक्नोलोजी हो, विशेष गरी दोष नियन्त्रण टेक्नोलोजी को लागी जुन उपकरण विफलता वा विश्वसनीयता गिरावट को लागी प्रवण छ। एपिमा विस्तारित सब्सट्रेट दोषहरूको संयन्त्रको अध्ययन ...
थप पढ्नुहोस्
अक्सिडाइज्ड स्ट्यान्डिङ ग्रेन र एपिटेक्सियल ग्रोथ टेक्नोलोजी-Ⅱ
24-05-30 मा व्यवस्थापक द्वारा
3. एपिटेक्सियल पातलो फिल्म वृद्धि सब्सट्रेटले Ga2O3 पावर उपकरणहरूको लागि भौतिक समर्थन तह वा प्रवाहकीय तह प्रदान गर्दछ। अर्को महत्त्वपूर्ण तह भनेको च्यानल तह वा एपिटेक्सियल तह हो जुन भोल्टेज प्रतिरोध र वाहक यातायातको लागि प्रयोग गरिन्छ। ब्रेकडाउन भोल्टेज बढाउन र कन्डक कम गर्नको लागि ...
थप पढ्नुहोस्
ग्यालियम अक्साइड एकल क्रिस्टल र एपिटेक्सियल वृद्धि प्रविधि
24-05-30 मा व्यवस्थापक द्वारा
सिलिकन कार्बाइड (SiC) र ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) द्वारा प्रतिनिधित्व गरिएको वाइड ब्यान्डग्याप (WBG) अर्धचालकहरूले व्यापक ध्यान प्राप्त गरेका छन्। मानिसहरूले इलेक्ट्रिक सवारी र पावर ग्रिडहरूमा सिलिकन कार्बाइडको आवेदन सम्भावनाहरू, साथै ग्यालियमको आवेदन सम्भावनाहरूका लागि उच्च अपेक्षाहरू राखेका छन्।
थप पढ्नुहोस्