SiC Coated Graphite Base Carriers

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

VET Energy SiC coated graphite carrier ແມ່ນຜະລິດຕະພັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງແລະເຊື່ອຖືໄດ້ໃນໄລຍະເວລາທີ່ຍາວນານ. ມັນມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງ wafer.

ສະຖານທີ່ຕົ້ນກໍາເນີດ:ຈີນ

ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ:ໄລຍະ FCCβ

ຄວາມໜາແໜ້ນ:3.21 g/ຊມ

ຄວາມແຂງ:2500 Vickers

ຂະຫນາດເມັດພືດ:2-10 ມມ

ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ:99.99995%

ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ:640J·kg-1·K-1

ອຸນຫະພູມ sublimation:2700℃

ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural:415 Mpa (RT 4 ຈຸດ)

ໂມດູລຂອງໄວໜຸ່ມ:430 Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)

ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE):4.5 10-6K-1

ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນ:300 (W/MK)

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

SiC coated graphite carrier ເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor ຕ່າງໆ. ພວກເຮົານໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີທີ່ມີສິດທິບັດຂອງພວກເຮົາເພື່ອເຮັດໃຫ້ຜູ້ຂົນສົ່ງ silicon carbide ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບທີ່ດີແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ດີເລີດ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄຸນສົມບັດທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນ.

ຄຸນນະສົມບັດຂອງຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ:

1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1700 ℃.
2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ
3. ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ດີເລີດ: ອາຊິດ, alkali, ເກືອແລະ reagents ອິນຊີ.
4. ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກລະອຽດ.
5. ຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວນານແລະທົນທານຫຼາຍ

CVD SiC薄膜基本物理性能 ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງ CVD SiCການເຄືອບ
性质 / ຊັບສິນ	典型数值 / ມູນຄ່າປົກກະຕິ
晶体结构 / ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β多晶，主要为（111) 取向
密度 / ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	3.21 g/cm³
硬度 / ຄວາມແຂງ	2500 维氏硬度 (ໂຫຼດ 500g)
晶粒大小 / ເມັດ SiZe	2-10 ມມ
纯度 / ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	99.99995%
热容 / ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	640 J·kg^-1· ຄ^-1
升华温度 / ອຸນຫະພູມ sublimation	2700℃
抗弯强度 / ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	415 MPa RT 4 ຈຸດ
杨氏模量 / Modulus ຂອງຫນຸ່ມ	430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃
导热系数 / ຄວາມຮ້ອນລການນໍາ	300W·m^-1· ຄ^-1
热膨胀系数 / ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	4.5×10^-6K^-1

ພະລັງງານ VET ແມ່ນຜູ້ຜະລິດທີ່ແທ້ຈິງຂອງຜະລິດຕະພັນ graphite ແລະ silicon carbide ທີ່ກໍາຫນົດເອງດ້ວຍການເຄືອບທີ່ແຕກຕ່າງກັນເຊັ່ນ: ການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC, ການເຄືອບກາກບອນແກ້ວ, ການເຄືອບກາກບອນ pyrolytic, ແລະອື່ນໆ, ສາມາດສະຫນອງພາກສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງຕ່າງໆສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະ photovoltaic.

ທີມງານດ້ານວິຊາການຂອງພວກເຮົາມາຈາກສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາພາຍໃນປະເທດຊັ້ນນໍາ, ສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂອຸປະກອນການເປັນມືອາຊີບຫຼາຍສໍາລັບທ່ານ.

ພວກເຮົາພັດທະນາຂະບວນການທີ່ກ້າວຫນ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງເພື່ອສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານຫຼາຍ, ແລະໄດ້ເຮັດວຽກອອກເຕັກໂນໂລຢີສິດທິບັດສະເພາະ, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ຄວາມຜູກພັນລະຫວ່າງການເຄືອບແລະ substrate ເຄັ່ງຄັດຂື້ນແລະມີຄວາມສ່ຽງຫນ້ອຍທີ່ຈະ detachment.

ຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາຢ່າງອົບອຸ່ນ, ຂໍໃຫ້ມີການສົນທະນາຕື່ມອີກ!