Silicon Carbide Coated Graphite Substrate ສໍາລັບ Semiconductor, MOCVD Susceptor

Silicon Carbide Coated Graphite Substrate for Semiconductor, MOCVD Susceptor Featured Image

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

VET Energy SiC Coated Susceptor ແມ່ນຜະລິດຕະພັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງແລະເຊື່ອຖືໄດ້ໃນໄລຍະເວລາທີ່ຍາວນານ. ມັນມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງ wafer.

ສະຖານທີ່ຕົ້ນກໍາເນີດ:Zhejiang, ຈີນ (ແຜ່ນດິນໃຫຍ່)

ໝາຍເລກຕົວແບບ:ໝາຍເລກຕົວແບບ:

ອົງປະກອບທາງເຄມີ:SiC coated graphite

ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural:470Mpa

ການນໍາຄວາມຮ້ອນ:300 W/mK

ຄຸນະພາບ:ສົມບູນແບບ

ຟັງຊັນ:CVD-SiC

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ:ເຊມິຄອນດັກເຕີ / ໂຟໂຕໂວໂຕລິກ

ຄວາມໜາແໜ້ນ:3.21 g/cc

ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ:4 10-6/ກ

ຂີ້ເທົ່າ: <5ppm

ຕົວຢ່າງ:ສາມາດໃຊ້ໄດ້

ລະຫັດ HS:6903100000

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

VET Energy SiC Coated Susceptorເປັນການແກ້ໄຂປະສິດທິພາບສູງທີ່ສ້າງຂຶ້ນຢ່າງພິຖີພິຖັນເພື່ອໃຫ້ປະສິດທິພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້, ສອດຄ່ອງໃນທົ່ວອາຍຸການຂະຫຍາຍ, ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຄັ່ງຄັດຂອງການຜະລິດ semiconductor. ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າ, ແລະຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຜະລິດຕະພັນນີ້ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບ MOCVD wafer carriers ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງ wafer ອື່ນໆທີ່ຕ້ອງການຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາ. ຄວາມຕ້ານທານການເຊາະເຈື່ອນທີ່ເຂັ້ມແຂງຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ນິຍົມສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຄວາມທົນທານແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີເປັນສິ່ງຈໍາເປັນ.

ຂອງພວກເຮົາSiC coated Graphite Susceptorຢືນເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor, ນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີສິດທິບັດສະເພາະຂອງ VET Energy ເພື່ອບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບດີກວ່າ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ. ການເຄືອບຊ່ວຍເສີມສ້າງຊັ້ນໃຕ້ດິນ graphite ທີ່ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວນານຫຼາຍ. ການອຸທິດຕົນຕໍ່ຄຸນນະພາບຂອງ VET Energy ໄດ້ສົ່ງຜົນໃຫ້ susceptor ເຄືອບ SiC ທີ່ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຕະຫຼາດ carrier graphite wafer, ກໍານົດມາດຕະຖານສູງສໍາລັບ SiC-coated susceptors graphite ນໍາໃຊ້ໃນ.ຂະບວນການ MOCVD.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນຂອງ SiC Coated Susceptors:

1. ຄວາມຕ້ານທານອົກຊີໃນອຸນຫະພູມສູງ:ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1700 ℃, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບເງື່ອນໄຂການປຸງແຕ່ງທີ່ຮຸນແຮງ.

2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມເປັນເອກະພາບຄວາມຮ້ອນ:ຮັບປະກັນຜົນໄດ້ຮັບທີ່ສອດຄ່ອງ, ສໍາຄັນສໍາລັບຕົວອ່ອນ MOCVDແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຊັດເຈນອື່ນໆ.

3. ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນດີເລີດ:ທົນທານຕໍ່ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອ, ແລະທາດປະສົມອິນຊີຕ່າງໆ.

4. ປັບປຸງຄວາມແຂງຂອງພື້ນຜິວ:ພື້ນຜິວທີ່ຫນາແຫນ້ນດ້ວຍອະນຸພາກອັນດີທີ່ໃຫ້ຄວາມທົນທານສູງແລະອາຍຸຍືນ.

5. ຂະຫຍາຍອາຍຸການບໍລິການ:ວິສະວະກໍາສໍາລັບການປະຕິບັດແບບຍືນຍົງ, ປະສິດທິພາບດີກວ່າ susceptors ເຄືອບ silicon carbide ມາດຕະຖານໃນສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງທີ່ຮຸນແຮງ.

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາ, VET Energy ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນກາຟທີ່ກໍາຫນົດເອງແລະຜະລິດຕະພັນ silicon carbideມີທາງເລືອກໃນການເຄືອບຕ່າງໆ, ລວມທັງການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC, ການເຄືອບຄາບອນແກ້ວ, ແລະການເຄືອບຄາບອນ pyrolytic. ພວກເຮົາພູມໃຈໃຫ້ບໍລິການໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະ photovoltaic, ສະຫນອງ silicon carbide ເຄືອບ susceptors graphite ທີ່ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການປະຕິບັດການສະເພາະ.

ທີມງານດ້ານວິຊາການຂອງພວກເຮົາ, ມີປະສົບການຈາກສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາພາຍໃນປະເທດຊັ້ນນໍາ, ແມ່ນອຸທິດຕົນເພື່ອກ້າວຫນ້າທາງດ້ານການແກ້ໄຂອຸປະກອນການສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການພັດທະນາຂອງ.SiC-coated graphite susceptorຕະຫຼາດ. ໂດຍຜ່ານຂະບວນການທີ່ໄດ້ຮັບສິດທິບັດຂອງພວກເຮົາ, VET Energy ໄດ້ພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີທີ່ເປັນເອກະລັກທີ່ຊ່ວຍປັບປຸງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດລະຫວ່າງການເຄືອບ silicon carbide ແລະ substrate, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຂອງ detachment ແລະເພີ່ມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືໃນໄລຍະຍາວ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບໃນການປຸງແຕ່ງ Semiconductor

ໄດ້ການເຄືອບ SiC ສໍາລັບ MOCVDເປີດໃຊ້graphite suceptorອົງປະກອບເພື່ອຮັກສາຄວາມສົມບູນພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງແລະສະພາບແວດລ້ອມ corrosive, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການຜະລິດ semiconductor ຄວາມແມ່ນຍໍາ. ອົງປະກອບ graphite ທີ່ເຄືອບ SiC ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຄຸນຄ່າໂດຍສະເພາະໃນຂະບວນການທີ່ຕ້ອງການ susceptors ເຄືອບຊິລິຄອນ carbide ສໍາລັບgraphite wafer ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ, ເຊິ່ງຕ້ອງການຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມບໍລິສຸດ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນຂອງສານເຄມີ.

ດ້ວຍເຕັກນິກການເຄືອບ silicon carbide ຂັ້ນສູງຂອງພວກເຮົາ, VET Energy ຍັງສືບຕໍ່ສະຫນັບສະຫນູນຕະຫຼາດຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ graphite wafer ໂດຍການສະຫນອງການປັບແຕ່ງ, ປະສິດທິພາບສູງ.SiC-coated graphite susceptorsທີ່ແກ້ໄຂສິ່ງທ້າທາຍສະເພາະຂອງອຸດສາຫະກໍາ, ຈາກຂະບວນການ MOCVD ໄປຫາຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງໃນພາກສະຫນາມ semiconductor.