Neiegkeeten

  • Aféierung an d'drëtt Generatioun Halbleiter GaN a verbonne epitaxial Technologie

    Aféierung an d'drëtt Generatioun Halbleiter GaN a verbonne epitaxial Technologie

    1. Drëtt-Generatioun semiconductors Déi éischt-Generatioun semiconductor Technologie war baséiert op semiconductor Materialien wéi Si an Ge entwéckelt. Et ass d'Material Basis fir d'Entwécklung vun Transistoren an integréiert Circuit Technologie. Déi éischt Generatioun Hallefleitmaterialien hunn d'F ...
    Liest méi
  • Numeresch Simulatiounsstudie iwwer den Effekt vu poröse Grafit op Siliziumkarbid Kristallwachstum

    Numeresch Simulatiounsstudie iwwer den Effekt vu poröse Grafit op Siliziumkarbid Kristallwachstum

    De Basisprozess vum SiC Kristallwachstum ass ënnerdeelt an d'Sublimatioun an d'Zersetzung vu Matière première bei héijer Temperatur, Transport vu Gasphase Substanzen ënner der Handlung vum Temperaturgradient, a Rekristalliséierungswuesstem vu Gasphase Substanzen am Somkristall. Baséierend op dësem, ass de ...
    Liest méi
  • Zorte vu spezielle Graphite

    Zorte vu spezielle Graphite

    Special GRAPHITE ass eng héich Rengheet, héich Dicht an héich Kraaft GRAPHITE Material an huet excellent corrosion Resistenz, héich Temperatur Stabilitéit a grouss elektresch Konduktivitéit. Et ass aus natierlechen oder kënschtlechen GRAPHITE gemaach no héich Temperatur Hëtzt Behandlung an héich Drock Veraarbechtung ...
    Liest méi
  • Analyse vun dënnem Film Oflagerung Ausrüstung - d'Prinzipien an Uwendungen vun PECVD / LPCVD / ALD Equipement

    Analyse vun dënnem Film Oflagerung Ausrüstung - d'Prinzipien an Uwendungen vun PECVD / LPCVD / ALD Equipement

    Dënn Filmdepositioun ass eng Schicht vu Film op d'Haaptsubstratmaterial vum Hallefleit ze beschichten. Dëse Film kann aus verschiddene Materialien gemaach ginn, wéi isoléierend Verbindung Siliciumdioxid, Halbleiter Polysilicium, Metallkoffer, asw.
    Liest méi
  • Wichteg Materialien, déi d'Qualitéit vum monokristalline Siliziumwachstum bestëmmen - thermesch Feld

    Wichteg Materialien, déi d'Qualitéit vum monokristalline Siliziumwachstum bestëmmen - thermesch Feld

    De Wuesstumsprozess vu monokristallinem Silizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass förderlech fir d'Qualitéit vun de Kristalle ze verbesseren an huet eng méi héich Kristalliséierungseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Verännerunge vun den Temperaturgradienten ...
    Liest méi
  • Wat sinn d'technesch Schwieregkeeten vum Siliciumcarbid Kristallwachstum Uewen?

    Wat sinn d'technesch Schwieregkeeten vum Siliciumcarbid Kristallwachstum Uewen?

    De Kristallwachstumofen ass d'Kärausrüstung fir Siliziumkarbid Kristallwachstum. Et ass ähnlech wéi den traditionelle kristallinem Silizium-Grad Kristallwuesstumofen. D'Struktur vum Uewen ass net ganz komplizéiert. Et besteet haaptsächlech aus Schmelzkierper, Heizungssystem, Spuletransmissionsmechanismus ...
    Liest méi
  • Wat sinn d'Mängel vun der Epitaxialschicht vum Siliziumkarbid

    Wat sinn d'Mängel vun der Epitaxialschicht vum Siliziumkarbid

    D'Kärtechnologie fir de Wuesstum vu SiC epitaxialen Materialien ass éischtens Defektkontrolltechnologie, besonnesch fir Defektkontrolltechnologie déi ufälleg ass fir Apparatausfall oder Zouverlässegkeetsverschlechterung. D'Studie vum Mechanismus vu Substratfehler, déi sech an d'Epi ...
    Liest méi
  • Oxidéiert stänneg Kär an epitaxial Wuesstumstechnologie-Ⅱ

    Oxidéiert stänneg Kär an epitaxial Wuesstumstechnologie-Ⅱ

    3. Epitaxial Dënnfilmwachstum De Substrat bitt eng kierperlech Ënnerstëtzungsschicht oder konduktiv Schicht fir Ga2O3 Kraaftapparaten. Déi nächst wichteg Schicht ass d'Kanalschicht oder d'Epitaxialschicht déi fir Spannungsresistenz an Trägertransport benotzt gëtt. Fir d'Decomptespannung ze erhéijen an d'Leedung ze minimiséieren ...
    Liest méi
  • Galliumoxid Eenkristall an epitaxial Wuesstumstechnologie

    Galliumoxid Eenkristall an epitaxial Wuesstumstechnologie

    Wide Bandgap (WBG) Hallefleit vertruede vu Siliziumkarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) hu wäit verbreet Opmierksamkeet kritt. D'Leit hunn héich Erwaardunge fir d'Applikatiounsperspektive vu Siliziumkarbid an elektresche Gefierer a Stroumnetz, souwéi d'Applikatiounsperspektive vu Gallium ...
    Liest méi
WhatsApp Online Chat!