Neiegkeeten

Uwendung vu Siliziumkarbidkeramik am Halbleiterfeld
vun Administrator op 24-10-10
De bevorzugt Material fir Präzisiounsdeeler vu Photolithographiemaschinnen Am Halbleiterfeld ginn Siliziumkarbid Keramikmaterialien haaptsächlech a Schlësselausrüstung fir integréiert Circuitfabrikatioun benotzt, sou wéi Siliziumkarbid Worktable, Guide Schinne, Reflektoren, Keramik Saug Chuck, Waffen, ...
Liest méi
0Wat sinn déi sechs Systemer vun engem eenzege Kristallofen
vun Administrator op 24-09-23
Een eenzegen Kristallofen ass en Apparat deen e Grafitheizung benotzt fir polykristallin Siliziummaterialien an engem Inertgas (Argon) Ëmfeld ze schmëlzen an d'Czochralski Method benotzt fir net dislokéiert Eenkristallen ze wuessen. Et besteet haaptsächlech aus de folgende Systemer: Mechanesch ...
Liest méi
Firwat brauche mir Grafit am thermesche Feld vum Eenkristallofen
vun Administrator op 24-09-23
Den thermesche System vum vertikalen Eenkristallofen gëtt och den thermesche Feld genannt. D'Funktioun vum graphite thermesche Feld System bezitt sech op de ganze System fir Siliziummaterialien ze schmëlzen an den Eenkristallwachstum bei enger gewësser Temperatur ze halen. Einfach gesot, et ass e komplette Grapp ...
Liest méi
Verschidde Aarte vu Prozesser fir Kraaft Hallefleitwafer Ausschneiden
vun Administrator op 24-09-20
Wafer Ausschneiden ass ee vun de wichtege Linken an der Kraaft Hallefleitproduktioun. Dëse Schrëtt ass entwéckelt fir präzis individuell integréiert Circuiten oder Chips vun Hallefleitwaferen ze trennen. De Schlëssel fir Wafer ze schneiden ass fäeg individuell Chips ze trennen wärend sécherzestellen datt déi delikat Struktur ...
Liest méi
BCD Prozess
vun Administrator op 24-09-18
Wat ass BCD Prozess? BCD Prozess ass eng Single-Chip integréiert Prozess Technologie éischt vun ST agefouert an 1986. Dës Technologie kann bipolare maachen, CMOS an DMOS Apparater op der selwechter Chip. Seng Erscheinung reduzéiert d'Gebitt vum Chip staark. Et kann gesot ginn datt de BCD Prozess de ganzen ...
Liest méi
BJT, CMOS, DMOS an aner Semiconductor Prozess Technologien
vun Administrator op 24-09-10
Wëllkomm op eiser Websäit fir Produktinformatioun a Berodung. Eis Websäit: https://www.vet-china.com/ Wéi d'Halbleiter-Fabrikatiounsprozesser weider Duerchbréch maachen, ass eng berühmt Ausso mam Numm "Moore's Law" an der Industrie zirkuléiert. Et war p...
Liest méi
Semiconductor Musterprozess Flow Ätzen
vun Administrator op 24-09-10
Fréi naass Ätzen huet d'Entwécklung vu Botzen oder Äschenprozesser gefördert. Haut ass dréchen Ätzen mat Plasma den Mainstream Ätzprozess ginn. Plasma besteet aus Elektronen, Kationen a Radikale. D'Energie, déi op de Plasma applizéiert gëtt, verursaacht déi äusserst Elektronen vun t ...
Liest méi
Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC Epitaxialofen an Homoepitaxialprozess-Ⅱ
vun Administrator op 24-09-04
2 Experimentell Resultater an Diskussioun 2.1 Epitaxial Schichtdicke an Uniformitéit Epitaxial Schichtdicke, Dopingkonzentratioun an Uniformitéit sinn ee vun de Kärindikatoren fir d'Qualitéit vun Epitaxialwaferen ze beurteelen. Genau kontrolléierbar Dicke, Doping Co ...
Liest méi
Fuerschung iwwer 8-Zoll SiC Epitaxialofen an Homoepitaxialprozess-Ⅰ
vun Administrator op 24-09-04
De Moment transforméiert d'SiC Industrie vun 150 mm (6 Zoll) op 200 mm (8 Zoll). Fir déi dréngend Nofro fir grouss Gréisst, héichqualitativ SiC homoepitaxial Waferen an der Industrie ze treffen, goufen 150mm an 200mm 4H-SiC homoepitaxial Wafere mat Erfolleg virbereet op ...
Liest méi