Wat ass BCD Prozess?
BCD Prozess ass eng Single-Chip integréiert Prozess Technologie éischt vun ST agefouert an 1986. Dës Technologie kann bipolare maachen, CMOS an DMOS Apparater op der selwechter Chip. Seng Erscheinung reduzéiert d'Gebitt vum Chip staark.
Et kann gesot ginn datt de BCD-Prozess d'Virdeeler vun der bipolare Fuerefäegkeet, der CMOS héicher Integratioun an de gerénge Stroumverbrauch, an der DMOS Héichspannung an der héijer Stroumflosskapazitéit voll benotzt. Ënner hinnen ass DMOS de Schlëssel fir d'Kraaft an d'Integratioun ze verbesseren. Mat der Weiderentwécklung vun der integréierter Circuittechnologie ass de BCD Prozess den Mainstream Fabrikatiounstechnologie vu PMIC ginn.
BCD Prozess Querschnitt Diagramm, Quell Reseau, merci
Virdeeler vum BCD Prozess
BCD Prozess mécht Bipolar Geräter, CMOS Apparater, an DMOS Kraaft Geräter op der selwechter Chip zur selwechter Zäit, integréiert déi héich Transkonduktanzen a staark Belaaschtungsfäegkeet vu bipolare Geräter an déi héich Integratioun an niddereg Stroumverbrauch vu CMOS, sou datt se ergänzen. all aner a ginn voll Spill op hir jeeweileg Virdeeler; gläichzäiteg kann DMOS am Wiessel Modus mat extrem niddereg Muecht Konsum Aarbecht. Kuerz gesot, niddereg Stroumverbrauch, héich Energieeffizienz an héich Integratioun sinn ee vun den Haaptvirdeeler vu BCD. BCD Prozess kann de Stroumverbrauch wesentlech reduzéieren, d'Systemleistung verbesseren an eng besser Zouverlässegkeet hunn. D'Funktioune vun elektronesche Produkter ginn Dag fir Dag erop, an d'Ufuerderunge fir Spannungsännerungen, Kondensatorschutz a Batterieliewensverlängerung ginn ëmmer méi wichteg. D'High-Speed- an d'Energie-spuerend Charakteristike vu BCD entspriechen de Prozessfuerderunge fir High-Performance Analog / Power Management Chips.
Schlëssel Technologien vum BCD Prozess
Typesch Apparater vun BCD Prozess och niddereg-Volt CMOS, héich-Volt MOS Réier, LDMOS mat verschiddenen Decompte voltages, vertikalen NPN / PNP an Schottky diodes, etc. Apparater am BCD Prozess. Dofir, ausser d'Kompatibilitéit vun Héichspannungsgeräter a Low-Volt-Geräter, Duebelklickprozesser a CMOS-Prozesser, asw.
An der BCD Isolatiounstechnologie si vill Technologien wéi Kräizungsisolatioun, Selbstisolatioun an dielektresch Isolatioun een nom aneren entstanen. Junction Isolatioun Technologie ass den Apparat op der N-Typ epitaxialer Schicht vum P-Typ Substrat ze maachen an d'Reverse Bias Charakteristiken vum PN Kräizung ze benotzen fir Isolatioun z'erreechen, well de PN Kräizung eng ganz héich Resistenz ënner Reverse Bias huet.
Selbstisolatiounstechnologie ass wesentlech PN Kräizung Isolatioun, déi op déi natierlech PN Kräizung Charakteristiken tëscht der Quell an Drain Regioune vum Apparat an dem Substrat hänkt fir Isolatioun z'erreechen. Wann de MOS-Röhre ageschalt ass, sinn d'Quellregioun, d'Drainregioun an d'Kanal vun der Ausarmungsregioun ëmginn, a bilden Isolatioun vum Substrat. Wann et ausgeschalt ass, ass d'PN-Kräizung tëscht der Drain-Regioun an dem Substrat ëmgedréint biased, an d'Héichspannung vun der Quellregioun ass isoléiert duerch d'Ausarmregioun.
Dielektresch Isolatioun benotzt isoléierend Medien wéi Siliziumoxid fir Isolatioun z'erreechen. Baséierend op dielektresch Isolatioun a Kräizung Isolatioun, ass quasi-dielektresch Isolatioun entwéckelt ginn andeems d'Virdeeler vu béid kombinéiert ginn. Andeems Dir déi uewe genannte Isolatiounstechnologie selektiv adoptéiert, kann d'Héichspannung an d'Nidderspannungskompatibilitéit erreecht ginn.
Entwécklung Richtung BCD Prozess
D'Entwécklung vu BCD-Prozesstechnologie ass net wéi de Standard CMOS-Prozess, deen ëmmer dem Moore säi Gesetz gefollegt huet fir an d'Richtung vu méi klenger Linnbreed a méi séier Geschwindegkeet z'entwéckelen. BCD Prozess ass ongeféier differenzéiert an entwéckelt an dräi Richtungen: Héichspannung, Héich Kraaft, an Héich Dicht.
1. Héich-Volt BCD Richtung
Héich-Volt BCD kann héich-Zouverlässegkeet niddereg-Volt Kontroll Kreesleef an ultra-Héich-Volt DMOS-Niveau Circuiten op der selwechter Chip op der selwechter Zäit Fabrikatioun, a kann d'Produktioun vun 500-700V héich-Volt Apparater realiséieren. Wéi och ëmmer, am Allgemengen ass BCD nach ëmmer gëeegent fir Produkter mat relativ héijen Ufuerderunge fir Kraaftapparater, besonnesch BJT oder Héichstroum DMOS Geräter, a kënne fir Stroumsteuerung an elektronescher Beliichtung an industriellen Uwendungen benotzt ginn.
Déi aktuell Technologie fir d'Fabrikatioun vun Héichspannung BCD ass d'RESURF Technologie proposéiert vun Appel et al. an 1979. D'Apparat gëtt mat engem liicht dotéiert epitaxial Layer gemaach fir d'Uewerfläch elektrescht Feld Verdeelung flaach ze maachen, doduerch d'Uewerfläch Decompte Charakteristiken verbesseren, sou datt den Decompte am Kierper geschitt amplaz vun der Uewerfläch, doduerch datt den Apparat d'Decompte Volt Erhéijung. Liicht Doping ass eng aner Method fir d'Decomptespannung vu BCD ze erhéijen. Et benotzt haaptsächlech duebel diffusen Drain DDD (duebel Doping Drain) a liicht dotéiert Drain LDD (liicht Doping Drain). An der DMOS Drainregioun gëtt eng N-Typ Driftregioun bäigefüügt fir den ursprénglechen Kontakt tëscht dem N+ Drain an dem P-Typ Substrat op de Kontakt tëscht dem N-Drain an dem P-Typ Substrat z'änneren, an doduerch d'Decomptespannung erhéijen.
2. High-Power BCD Richtung
D'Spannungsbereich vu High-Power BCD ass 40-90V, an et gëtt haaptsächlech an der Automobilelektronik benotzt, déi héich Stroumfäegkeet, mëttelspannt an einfache Kontrollkreesser erfuerderen. Seng Nofro Charakteristiken sinn héich aktuell dreiwend Muecht, mëttel- Volt, an der Kontroll Circuit ass dacks relativ einfach.
3. Héich-Dicht BCD Richtung
Héich Dicht BCD, d'Spannungsbereich ass 5-50V, an e puer Automobilelektronik wäert 70V erreechen. Méi a méi komplex a divers Funktiounen kënnen op de selwechten Chip integréiert ginn. Héich Dicht BCD adoptéiert e puer modulär Designideeën fir Produktdiversifikatioun z'erreechen, haaptsächlech an Automobilelektronik Uwendungen benotzt.
Haaptapplikatioune vum BCD Prozess
BCD-Prozess gëtt wäit an der Energieverwaltung (Kraaft a Batterie Kontroll), Display Drive, Automobilelektronik, Industriekontroll, etc. Power Management Chip (PMIC) ass eng vun de wichtegsten Aarte vun Analog Chips. D'Kombinatioun vum BCD Prozess an SOI Technologie ass och e wichtege Feature vun der Entwécklung vum BCD Prozess.
VET-China kann Grafitdeeler, Softrigid Filz, Siliziumkarbiddeeler, CVD Siliziumkarbiddeeler, a sic / Tac Beschichtete Deeler mat an 30 Deeg ubidden.
Wann Dir un den uewe genannten Halbleiterprodukter interesséiert sidd, zéckt net eis op d'éischt Kéier ze kontaktéieren.
Tel: +86-1891 1596 392
WhatsAPP: 86-18069021720
E-Mail:yeah@china-vet.com
Post Zäit: Sep-18-2024