Als éischt musse mir wëssenPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Plasma ass d'Intensivéierung vun der thermescher Bewegung vu Materialmoleküle. D'Kollisioun tëscht hinnen verursaacht d'Gasmoleküle ioniséiert, an d'Material gëtt eng Mëschung vu fräi bewegende positiven Ionen, Elektronen an neutrale Partikelen, déi matenee interagéieren.
Et gëtt geschat datt d'Reflexiounsverloscht vum Liicht op der Siliziumfläch esou héich ass wéi ongeféier 35%. Den Anti-Reflexiounsfilm kann d'Notzungsquote vum Sonneliicht duerch d'Batteriezelle staark verbesseren, wat hëlleft fir d'photogeneréiert Stroumdicht ze erhéijen an doduerch d'Konvertéierungseffizienz ze verbesseren. Zur selwechter Zäit passivéiert de Waasserstoff am Film d'Uewerfläch vun der Batteriezell, reduzéiert d'Uewerflächrekombinatiounsquote vum Emitterverbindung, reduzéiert den donkelen Stroum, erhéicht d'Open Circuit Spannung a verbessert d'photoelektresch Konversiounseffizienz. D'Héichtemperatur-instantanannealing am Verbrennungsprozess brécht e puer Si-H- an NH-Bindungen, an de befreit H stäerkt d'Passivatioun vun der Batterie weider.
Zënter Photovoltaik-Grad Siliziummaterialien zwangsleefeg eng grouss Quantitéit vu Gëftstoffer a Mängel enthalen, ginn d'Minoritéitsträger Liewensdauer an Diffusiounslängt am Silizium reduzéiert, wat zu enger Ofsenkung vun der Konversiounseffizienz vun der Batterie resultéiert. H ka mat Mängel oder Gëftstoffer am Silizium reagéieren, an doduerch d'Energieband am Bandgap an d'Valenzband oder d'Leedungsband transferéieren.
1. PECVD Prinzip
De PECVD System ass eng Serie vu Generatoren déi benotztPECVD Grafit Boot an héich-Frequenz Plasma exciters. De Plasma-Generator ass direkt an der Mëtt vun der Beschichtungsplack installéiert fir ënner nidderegen Drock an erhéigen Temperatur ze reagéieren. Déi aktiv Gase benotzt si Silan SiH4 an Ammoniak NH3. Dës Gase handelen op de Siliziumnitrid, deen op der Siliziumwafer gelagert ass. Verschidde refraktiv Indizes kënne kritt ginn andeems de Verhältnis vu Silan an Ammoniak geännert gëtt. Wärend dem Oflagerungsprozess ginn eng grouss Quantitéit Waasserstoffatome a Waasserstoffionen generéiert, wat d'Waasserstoffpassivatioun vum Wafer ganz gutt mécht. An engem Vakuum an enger Ëmgéigend Temperatur vu 480 Grad Celsius gëtt eng Schicht SixNy op der Uewerfläch vum Siliziumwafer beschichtet andeems d'Leedung vumPECVD Grafit Boot.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
D'Faarf vum Si3N4 Film ännert sech mat senger Dicke. Allgemeng ass déi ideal Dicke tëscht 75 an 80 nm, wat donkelblo schéngt. De Brechungsindex vum Si3N4 Film ass am beschten tëscht 2,0 an 2,5. Alkohol gëtt normalerweis benotzt fir säi Brechungsindex ze moossen.
Exzellent Uewerflächepassivatiounseffekt, effizient optesch Anti-Reflexiounsleistung (Dicke-Brechungsindex-passend), nidderegen Temperaturprozess (effektiv Käschten ze reduzéieren), an déi generéiert H Ionen passivéieren d'Siliconwafer-Uewerfläch.
3. Gemeinsam Saachen am Beschichtung Workshop
Filmdicke:
D'Depositiounszäit ass anescht fir verschidde Filmdecken. D'Oflagerungszäit soll entspriechend erhéicht oder erofgesat ginn jee no der Faarf vun der Beschichtung. Wann de Film wäisslech ass, sollt d'Oflagerungszäit reduzéiert ginn. Wann et roudelzeg ass, sollt et entspriechend erhéicht ginn. All Boot vu Filmer soll voll bestätegt ginn, an defekt Produkter sinn net erlaabt an den nächste Prozess ze fléien. Zum Beispill, wann d'Beschichtung schlecht ass, sou wéi Faarfflecken a Waasserzeechen, sollten déi meescht üblech Surface Whitening, Faarfdifferenz a wäiss Flecken op der Produktiounslinn mat Zäit erausgesicht ginn. D'Surface Whitening gëtt haaptsächlech duerch den décke Siliziumnitridfilm verursaacht, deen duerch Upassung vun der Filmablagerungszäit ugepasst ka ginn; de Faarfdifferenzfilm ass haaptsächlech duerch Gasbunnblockéierung, Quarzröhre Leckage, Mikrowellenausfall, etc .; wäiss Flecken ginn haaptsächlech duerch kleng schwaarz Flecken am virege Prozess verursaacht. Iwwerwaachung vun der Reflexivitéit, Brechungsindex, asw., Sécherheet vu spezielle Gasen, asw.
Wäiss Flecken op der Uewerfläch:
PECVD ass e relativ wichtege Prozess a Solarzellen an e wichtege Indikator fir d'Effizienz vun de Solarzellen vun enger Firma. De PECVD Prozess ass allgemeng beschäftegt, an all Batch vun Zellen muss iwwerwaacht ginn. Et gi vill Beschichtungsofenröhren, an all Röhre huet allgemeng Honnerte vun Zellen (ofhängeg vun der Ausrüstung). Nodeems Dir de Prozessparameter geännert hutt, ass de Verifizéierungszyklus laang. Beschichtungstechnologie ass eng Technologie déi d'ganz Photovoltaikindustrie grouss Bedeitung leet. D'Effizienz vun de Solarzellen ka verbessert ginn andeems d'Beschichtungstechnologie verbessert gëtt. An Zukunft kann d'Solarzelle-Uewerflächtechnologie en Duerchbroch an der theoretescher Effizienz vun de Solarzellen ginn.
Post Zäit: Dez-23-2024