Silicon Carbideass eng haart Verbindung mat Silizium a Kuelestoff, a gëtt an der Natur als extrem rar Mineral Moissanite fonnt. Siliziumkarbidpartikele kënne matenee verbonne ginn duerch Sintering fir ganz haart Keramik ze bilden, déi wäit an Uwendungen benotzt ginn, déi héich Haltbarkeet erfuerderen, besonnesch an der Hallefleitprozessioun.
Kierperlech Struktur vun SiC
Wat ass SiC Coating?
SiC Beschichtung ass eng dichte, verschleißbeständeg Siliziumkarbidbeschichtung mat héijer Korrosioun- an Hëtztbeständegkeet an exzellenter thermescher Konduktivitéit. Dës héich Puritéit SiC Beschichtung gëtt haaptsächlech an der Hallefleit- an Elektronikindustrie benotzt fir Wafer Carrier, Basen an Heizelementer vu korrosiven a reaktiven Ëmfeld ze schützen. SiC Beschichtung ass och gëeegent fir Vakuumofen a Probeheizung an héije Vakuum, reaktiven a Sauerstoffëmfeld.
Héich Puritéit SiC Beschichtung Uewerfläch
Wat ass de SiC Beschichtungsprozess?
Eng dënn Schicht Siliziumkarbid gëtt op der Uewerfläch vum Substrat benotztCVD (Chemical Vapor Deposition). Oflagerung gëtt normalerweis bei Temperaturen vun 1200-1300 ° C duerchgefouert an d'thermesch Expansiounsverhalen vum Substratmaterial soll mat der SiC Beschichtung kompatibel sinn fir thermesch Stress ze minimiséieren.
CVD SIC Beschichtung FILM CRYSTAL STRUKTUR
Déi physikalesch Eegeschafte vun der SiC Beschichtung sinn haaptsächlech a senger héijer Temperaturbeständegkeet, Härheet, Korrosiounsbeständegkeet an thermescher Konduktivitéit reflektéiert.
Typesch kierperlech Parameter sinn normalerweis wéi follegt:
Hardness: SiC Beschichtung hunn typesch eng Vickers Hardness am Beräich vun 2000-2500 HV, wat hinnen extrem héich Verschleiß- an Impaktresistenz an industriellen Uwendungen gëtt.
Dicht: SiC Beschichtungen hunn typesch eng Dicht vun 3,1-3,2 g/cm³. Déi héich Dicht dréit zur mechanescher Kraaft an Haltbarkeet vun der Beschichtung bäi.
Wärmeleitung: SiC Beschichtungen hunn eng héich thermesch Konduktivitéit, typesch am Beräich vun 120-200 W/mK (bei 20°C). Dëst gëtt et gutt thermesch Leit an héich Temperatur Ëmfeld a mécht et besonnesch gëeegent fir Hëtzt Behandlung Equipement an der semiconductor Industrie.
Schmelzpunkt: Siliziumkarbid huet e Schmelzpunkt vun ongeféier 2730°C an huet eng exzellent thermesch Stabilitéit bei extremen Temperaturen.
Koeffizient vun thermesch Expansioun: SiC Beschichtungen hunn e nidderegen linearem Koeffizient vun der thermescher Expansioun (CTE), typesch am Beräich vun 4,0-4,5 µm/mK (am 25-1000 ℃). Dëst bedeit datt seng Dimensiounsstabilitéit iwwer grouss Temperaturdifferenzen exzellent ass.
Korrosiounsbeständegkeet: SiC Beschichtungen sinn extrem resistent géint Korrosioun a staark Säure, Alkali a oxidéierend Ëmfeld, besonnesch wann Dir staark Säuren benotzt (wéi HF oder HCl), hir Korrosiounsbeständegkeet iwwerschreift wäit wéi déi vun konventionelle Metallmaterialien.
SiC Beschichtungen kënnen op déi folgend Materialien applizéiert ginn:
Héich Puritéit isostatesch Graphit (niddereg CTE)
Wolfram
Molybdän
Silicon Carbide
Siliziumnitrid
Carbon-Carbon Composites (CFC)
SiC Beschichtete Produkter ginn allgemeng an de folgende Beräicher benotzt:
LED Chip Produktioun
Polysilicon Produktioun
SemiconductorKristallwachstum
Silicium anSiC Epitaxie
Wafer Hëtzt Behandlung an Ätzen
Firwat VET Energy wielen?
VET Energy ass e féierende Hiersteller, Innovator a Leader vu SiC Beschichtungsprodukter a China, déi Haapt SiC Beschichtungsprodukter enthalenWafer Carrier mat SiC Beschichtung, SiC Beschichteteepitaxial susceptor, SiC Beschichtete Grafitring, Hallefmound Deeler mat SiC Beschichtung, SiC Beschichtete Kuelestoff-Kuelestoff Komposit, SiC Beschichtete Wafer Boot, SiC Beschichtete Heizung, etc.. VET Energy engagéiert sech fir d'Hallefuederindustrie mat der ultimativer Technologie a Produktléisungen ze bidden, an ënnerstëtzt Customization Services. Mir freeën eis oprecht Äre laangfristeg Partner a China ze sinn.
Wann Dir Froen hutt oder zousätzlech Detailer braucht, zéckt net fir eis ze kontaktéieren.
Whatsapp & Wechat: +86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
Post Zäit: Okt-18-2024