D'Haaptrei Funktiounen vunSiliziumkarbidbootËnnerstëtzung an Quarz Boot Ënnerstëtzung sinn déi selwecht.SiliziumkarbidbootËnnerstëtzung huet excellent Leeschtung mee héije Präis. Et stellt eng alternativ Relatioun mat Quarz Boot Ënnerstëtzung an Batterie Veraarbechtung Equipement mat haarden Aarbechtskonditiounen (wéi LPCVD Equipement a Bor Diffusioun Equipement). An Batterie Veraarbechtung Ausrüstung mat normalen Aarbechtskonditiounen, wéinst Präis Relatiounen, Silicon Carbide a Quarz Boot Ënnerstëtzung ginn coexisting a Konkurrenz Kategorien.
① Substitutiounsverhältnis an LPCVD a Bor Diffusioun Ausrüstung
LPCVD Ausrüstung gëtt fir Batterie Zell Tunnel Oxidatioun an dotéiert Polysilisium Schicht Virbereedungsprozess benotzt. Aarbechtsprinzip:
Ënner niddereg-Drock Atmosphär, kombinéiert mat passenden Temperatur, chemesch Reaktioun an Oflagerung Film Formatioun sinn erreecht ultra-dënn tunneling Oxid Layer an polysilicon Film ze preparéieren. Am Tunneloxidatioun an dotéiert Polysilisiumschichtpräparatiounsprozess huet d'Bootstützung eng héich Aarbechtstemperatur an e Siliziumfilm gëtt op der Uewerfläch deposéiert. Den thermesche Expansiounskoeffizient vu Quarz ass ganz anescht wéi dee vum Silizium. Wann et am uewe genannte Prozess benotzt gëtt, ass et noutwendeg fir de Silizium deen op der Uewerfläch deposéiert gëtt regelméisseg ze pickelen an ze entfernen fir ze verhënneren datt d'Quarzboot Ënnerstëtzung briechen wéinst thermescher Expansioun a Kontraktioun wéinst dem ënnerschiddlechen thermesche Expansiounskoeffizient vum Silizium. Wéinst heefeg Pickling a gerénger Héichtemperaturstäerkt huet de Quarz Boothalter e kuerzt Liewen a gëtt dacks am Tunneloxidatiouns- an dotéierte Polysilisiumschichtpräparatiounsprozess ersat, wat d'Produktiounskäschte vun der Batteriezell wesentlech erhéicht. Den Expansiounskoeffizient vunSiliziumkarbidass no bei deem vum Silizium. Déi integréiertSiliziumkarbidbootTitulaire verlaangen net pickling am Tunnel oxydéiert an dotéiert polysilicon Layer Virbereedung Prozess. Et huet héich-Temperatur Kraaft a laang Service Liewen. Et ass eng gutt Alternativ zum Quarz Boothalter.
Bor Expansioun Ausrüstung gëtt haaptsächlech fir de Prozess vun Doping Bor Elementer op der N-Typ Silicon wafer Substrat vun der Batterie Zell benotzt fir de P-Typ Emitter ze preparéieren eng PN Kräizung ze bilden. D'Aarbechtsprinzip ass d'chemesch Reaktioun a molekulare Oflagerungsfilmbildung an enger héijer Temperaturatmosphär ze realiséieren. Nodeems de Film geformt ass, kann et duerch Héichtemperaturheizung diffuséiert ginn fir d'Dopingfunktioun vun der Siliziumwafer Uewerfläch ze realiséieren. Wéinst der héijer Aarbechtstemperatur vun der Bor-Expansiounsausrüstung huet de Quarz-Boothalter eng niddreg Héichtemperaturkraaft an eng kuerz Liewensdauer an der Bor-Expansiounsausrüstung. Déi integréiertSiliziumkarbidbootHalter huet héich Temperaturkraaft an ass eng gutt Alternativ zum Quarz Boothalter am Bor Expansiounsprozess.
② Ersatzverhältnis an aner Prozessausrüstung
SiC Bootsstützen hunn eng enk Produktiounskapazitéit an exzellent Leeschtung. Hir Präisser sinn allgemeng méi héich wéi déi vu Quarz Bootsstützen. Am allgemengen Aarbechtsbedingunge vun Zellveraarbechtungsausrüstung ass den Ënnerscheed am Liewensdauer tëscht SiC Bootstützen a Quarzbootstützen kleng. Downstream Clienten vergläichen a wielt haaptsächlech tëscht Präis a Leeschtung baséiert op hiren eegene Prozesser a Bedierfnesser. SiC Bootsstützen a Quarz Bootstützen sinn coexistent a kompetitiv ginn. Wéi och ëmmer, de Brutto Profittmarge vu SiC Boot Support ass relativ héich am Moment. Mat dem Réckgang vun de Produktiounskäschte vu SiC Bootsstützen, wann de Verkafspräis vu SiC Boot ënnerstëtzt aktiv erofgeet, wäert et och eng méi grouss Kompetitivitéit fir Quarz Bootsstützen stellen.
Verbrauchsverhältnis
D'Zelltechnologieroute ass haaptsächlech PERC Technologie an TOPCon Technologie. De Maartundeel vun der PERC Technologie ass 88%, an de Maartundeel vun der TOPCon Technologie ass 8,3%. De kombinéierte Maartundeel vun deenen zwee ass 96,30%.
Wéi an der Figur ënnendrënner gewisen:
An der PERC Technologie si Bootsstütze fir déi viischt Phosphordiffusioun an Glühungsprozesser erfuerderlech. An TOPCon Technologie, Boot Ënnerstëtzung sinn néideg fir virun Bor Diffusioun, LPCVD, Réckemuerch Phosphor Diffusioun an annealing Prozesser. Am Moment sinn Siliziumkarbid Bootstützen haaptsächlech am LPCVD Prozess vun der TOPCon Technologie benotzt, an hir Uwendung am Bor Diffusiounsprozess gouf haaptsächlech verifizéiert.
Figur Applikatioun vun Boot ënnerstëtzt am Zell Veraarbechtung Prozess
Bemierkung: No der viischter an hënneschter Beschichtung vu PERC an TOPCon Technologien, ginn et nach ëmmer Linken wéi Écran Dréckerei, Sinteren an Testen a Sortéieren, déi net d'Benotzung vu Bootstützen involvéieren an net an der uewendriwwer Figur opgezielt sinn.
Post Zäit: Okt-15-2024