vet-China garantéiert datt all DurableSilicon Carbide Wafer Handling Paddlehuet excellent Leeschtung an Haltbarkeet. Dëse Siliciumcarbid Wafer Handhabpaddel benotzt fortgeschratt Fabrikatiounsprozesser fir sécherzestellen datt seng strukturell Stabilitéit a Funktionalitéit an héijen Temperaturen a chemesche Korrosiounsëmfeld bleiwen. Dësen innovativen Design bitt exzellent Ënnerstëtzung fir Halbleiterwaferhandhabung, besonnesch fir héichpräzis automatiséiert Operatiounen.
SiC Cantilever Paddleass e spezialiséierte Bestanddeel deen an Hallefleitfabrikatiounsausrüstung benotzt gëtt wéi Oxidatiounsofen, Diffusiounsofen, an Glühwäin, d'Haaptbenotzung ass fir Wafer Luede an Entlueden, ënnerstëtzt a transportéiert Wafere wärend Héichtemperaturprozesser.
Gemeinsam StrukturenvunSiCcantileverpaddéieren: eng cantilever Struktur, op een Enn fixéiert a fräi um aneren, huet typesch eng flaach a paddle-wëll Design.
SchaffenprinzipvunSiCcantileverpaddéieren:
D'Kantilever Paddel kann erop an erof oder zréck an zréck an der Schmelzkammer réckelen, et kann benotzt ginn fir Wafere vu Luedeberäicher op d'Veraarbechtungsberäicher ze bewegen, oder aus Veraarbechtungsberäicher, d'Waferen ënnerstëtzen a stabiliséieren während der Héichtemperaturveraarbechtung.
Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
Immobilie | Typesch Wäert |
Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéiert Ëmfeld) |
SiC Inhalt | > 99,96% |
Gratis Si Inhalt | < 0,1% |
Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
Anscheinend Porositéit | < 16% |
Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
Elastesche Modul | 240 GPa |
Wärmeschockbeständegkeet | Extrem gutt |