vet-China garantéiert datt all DurableSilicon Carbide Wafer Handling Paddlehuet excellent Leeschtung an Haltbarkeet. Dëse Siliciumcarbid Wafer Handhabpaddel benotzt fortgeschratt Fabrikatiounsprozesser fir sécherzestellen datt seng strukturell Stabilitéit a Funktionalitéit an héijen Temperaturen a chemesche Korrosiounsëmfeld bleiwen. Dësen innovativen Design bitt exzellent Ënnerstëtzung fir Halbleiterwaferhandhabung, besonnesch fir héichpräzis automatiséiert Operatiounen.
SiC Cantilever Paddleass e spezialiséierte Bestanddeel deen an Hallefleitfabrikatiounsausrüstung benotzt gëtt wéi Oxidatiounsofen, Diffusiounsofen, an Glühwäin, d'Haaptbenotzung ass fir Wafer Luede an Entlueden, ënnerstëtzt a transportéiert Wafere wärend Héichtemperaturprozesser.
Gemeinsam StrukturenvunSiCcantileverpaddéieren: eng cantilever Struktur, op een Enn fixéiert a fräi um aneren, huet typesch eng flaach a paddle-wëll Design.
SchaffenprinzipvunSiCcantileverpaddéieren:
D'Kantilever Paddel kann erop an erof oder zréck an zréck an der Schmelzkammer réckelen, et kann benotzt ginn fir Wafere vu Luedeberäicher op d'Veraarbechtungsberäicher ze verschwannen, oder aus Veraarbechtungsberäicher, Ënnerstëtzung a Stabiliséierung vu Wafere während der Héichtemperaturveraarbechtung.
Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
Immobilie | Typesch Wäert |
Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld) |
SiC Inhalt | > 99,96% |
Gratis Si Inhalt | < 0,1% |
Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
Anscheinend Porositéit | < 16% |
Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
Elastesche Modul | 240 GPa |
Wärmeschockbeständegkeet | Extrem gutt |