DéiSilicon Carbide Beschichtete Epitaxial BlatProbéiert benotzt anEpitaxial Uewen Equipementgemaach a China vum Vet Energy, deen ee vun den Hiersteller a Liwweranten a China ass. Kaaft Silicon Carbide Beschichtete Epitaxial Blat Schacht benotzt a China Epitaxial Uewen Ausrüstung zu engem niddrege Präis vun eiser Fabrik. Mir hunn eis eege Marken a mir ënnerstëtzen och bulk. Wann Dir un eise Produkter interesséiert sidd, gi mir Iech e gudde Präis. Wëllkomm fir e Remiseprodukt ze kafen deen neisten an Topqualitéit vun eis ass.
Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.
Haaptfeatures:
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung:
SiC-CVD Properties | ||
Kristallstruktur | FCC β Phase | |
Dicht | g/cm³ | 3.21 |
Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
Grain Gréisst | μm | 2~10 |
Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1·K-1 | 640 |
Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |
Firwat kënnt Dir Veterinär wielen?
1) Mir hunn genuch Stock Garantie.
2) professionell Verpakung garantéiert Produktintegritéit. De Produit gëtt Iech sécher geliwwert.
3) méi Logistikkanäl erlaben Produkter fir Iech ze liwweren.