Silicon Carbide Beschichtete Graphite Substrat fir Semiconductor, MOCVD Susceptor

Silicon Carbide Beschichtete Graphit Substrat fir Semiconductor, MOCVD Susceptor Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

VET Energy SiC Beschichtete Susceptor ass en High-Performance Produkt entwéckelt fir konsequent an zouverlässeg Leeschtung iwwer eng verlängert Period ze bidden. Et huet super gutt Hëtzt Resistenz an thermesch Uniformitéit, héich Rengheet, Erosioun Resistenz, mécht et déi perfekt Léisung fir wafer Veraarbechtung Uwendungen.

Plaz vun Urspronk:Zhejiang, China (Festland)

Model Number:Model Number:

Chemesch Zesummesetzung:SiC Beschichtete Grafit

Flexural Stäerkt:470 MPa

Thermesch Konduktivitéit:300 W/mK

Qualitéit:Perfekt

Funktioun:CVD-SiC

Applikatioun:Semiconductor / Photovoltaik

Dicht:3,21 g/cc

Thermesch Expansioun:4 10-6/K

Äsche: <5 ppm

Beispill:Verfügbar

HS Code:6903100000

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

VET Energy SiC Beschichtete Susceptorass eng héich-Performance Léisung virsiichteg gemaach fir zouverlässeg, konsequent Leeschtung iwwer eng verlängert Liewensdauer ze liwweren, déi rigoréis Ufuerderunge vun der Hallefleitfabrikatioun entspriechen. Mat aussergewéinlecher Hëtztbeständegkeet, super thermesch Uniformitéit an héich Rengheet ass dëst Produkt ideal fir MOCVD Wafer Carrier an aner Wafer Veraarbechtungsapplikatiounen déi Stabilitéit a Präzisioun erfuerderen. Seng robust Erosiounsbeständegkeet mécht et eng Premium Wiel fir Ëmfeld wou Haltbarkeet a chemesch Widderstandsfäegkeet wesentlech sinn.

EisSiC Beschichtete Graphit Susceptorsteet als e kriteschen Bestanddeel am Hallefleeder-Fabrikatiounsprozess, benotzt VET Energy seng exklusiv patentéiert Technologie fir extrem héich Rengheet, Superior Beschichtungsuniformitéit an bemierkenswäert thermesch Stabilitéit z'erreechen. D'Beschichtung verbessert de Graphit-Substrat mat héijer chemescher Resistenz an e wesentlech verlängert Liewensdauer. Dem VET Energy seng Engagement fir Qualitéit huet zu engem SiC-beschichtete Susceptor gefouert, deen den evoluéierende Bedierfnesser vum Graphitwafer Carrier Maart entsprécht, en héije Standard setzt fir SiC-beschichtete Grafitsusceptoren, déi anMOCVD Prozesser.

Schlëssel Feature vu SiC Beschichtete Susceptoren:

1. Héich-Temperatur Oxidatioun Resistenz:Widderstoen Temperaturen bis zu 1700 ℃, mécht et gëeegent fir extrem Veraarbechtung Konditiounen.

2. Héich Puritéit an thermesch Uniformitéit:Assuréiert konsequent Resultater, vital firMOCVD susceptorsan aner Präzisioun Uwendungen.

3. Exzellent Korrosiounsbeständegkeet:Resistent géint Säure, Alkali, Salz a verschidde organesch Reagenz.

4. Erweidert Surface Hardness:Kompakt Uewerfläch mat feine Partikelen déi méi laang Haltbarkeet a laang Liewensdauer ubidden.

5. Verlängert Service Liewen:Entworf fir nohalteg Leeschtung, besser wéi Standard Siliziumkarbid-beschichtete Susceptoren an haarde Veraarbechtungsëmfeld.

Als féierende Fabrikant beschwéiert VET Energy spezialiséiert op personaliséiert GRAPHITE anSiliziumkarbidproduktermat verschiddene Beschichtungsoptiounen, dorënnerSiC Beschichtung, TaC Beschichtung, glaslech Kuelestoffbeschichtung, a pyrolytesch Kuelestoffbeschichtung. Mir déngen houfreg d'Halbleiter- a Photovoltaikindustrie, déi Siliziumkarbid-beschichtete Grafit-Susceptoren liwweren, déi spezifesch operationell Ufuerderunge entspriechen.

Eist technescht Team, mat Erfarung vun Top Hausfuerschungsinstituter, ass gewidmet fir materiell Léisunge fir déi evoluéierend Bedierfnesser vun derSiC-beschichtete Grafit-SusceptorMaart. Duerch eise patentéierte Prozess huet VET Energy eng eenzegaarteg Technologie entwéckelt, déi d'Bindungsstäerkt tëscht der Siliziumkarbidbeschichtung an dem Substrat wesentlech verbessert, d'Risiko vum Ofbau reduzéiert an d'laangfristeg Zouverlässegkeet verbessert.

Uwendungen a Virdeeler am Semiconductor Veraarbechtung

DéiSiC Beschichtung fir MOCVDerméiglechtgraphite susceptorKomponenten fir d'Integritéit ënner héijen Temperaturen a korrosive Ëmfeld z'erhalen, wat fir Präzisioun Hallefleitproduktioun vital ass. Dës SiC-beschichtete Grafitkomponente si besonnesch geschätzt a Prozesser déi Siliziumkarbid-beschichtete Susceptoren erfuerderen firgraphite wafer carriers, déi héich thermesch Stabilitéit, Rengheet a Resistenz géint chemesch Erosioun verlaangen.

Mat eise fortgeschrattene Siliziumkarbidbeschichtungstechniken ënnerstëtzt VET Energy weider de Grafit Wafer Carrier Maart andeems se personaliséiert, héich performant liwwerenSiC-beschichtete Grafit-Susceptorendéi Industrie-spezifesch Erausfuerderunge adresséieren, vu MOCVD Prozesser bis héich Puritéit Uwendungen am Halbleiterfeld.