수직 기둥 웨이퍼 보트 및 받침대

간단한 설명:

vet-china의 수직 기둥 웨이퍼 보트 및 받침대는 반도체 제조를 위한 웨이퍼 처리에 탁월한 안정성과 정밀도를 제공합니다. Vet-China의 고급 설계를 갖춘 이 시스템은 최적의 정렬과 안전한 유지를 보장하여 운영 효율성을 높이고 웨이퍼 손상을 줄입니다.


제품 세부정보

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vet-china는 첨단 반도체 처리를 위한 포괄적인 솔루션인 혁신적인 수직 기둥 웨이퍼 보트 및 받침대를 선보입니다. 세심한 정밀도로 설계된 이 웨이퍼 핸들링 시스템은 고효율 제조 환경에 필수적인 탁월한 안정성과 정렬을 제공합니다.

수직 기둥 웨이퍼 보트 및 받침대는 열 안정성과 화학적 부식에 대한 저항성을 보장하는 고급 소재로 제작되어 가장 까다로운 반도체 제조 공정에 적합합니다. 고유한 수직 컬럼 디자인은 웨이퍼를 안전하게 지지하여 운송 및 처리 중 정렬 불량 및 잠재적인 손상 위험을 줄입니다.

vet-china의 수직 컬럼 웨이퍼 보트 및 받침대의 통합을 통해 반도체 제조업체는 처리량 향상, 가동 중지 시간 최소화 및 제품 수율 증가를 기대할 수 있습니다. 이 시스템은 다양한 웨이퍼 크기 및 구성과 호환되므로 다양한 생산 요구에 맞는 유연성과 확장성을 제공합니다.

우수성에 대한 vet-china의 헌신은 각 수직 기둥 웨이퍼 보트 및 받침대가 최고 수준의 품질과 성능을 충족하도록 보장합니다. 이 최첨단 솔루션을 선택함으로써 귀하는 반도체 제조에서 효율성과 신뢰성을 극대화하는 웨이퍼 처리에 대한 미래 보장형 접근 방식에 투자하게 됩니다.

수직 기둥 웨이퍼 보트 및 받침대

재결정된 탄화규소의 특성

재결정 탄화규소(R-SiC)는 다이아몬드 다음으로 경도가 높은 고성능 소재로 2000℃ 이상의 고온에서 형성됩니다. 고온 강도, 강한 내식성, 우수한 내산화성, 우수한 열 충격 저항성 등과 같은 SiC의 우수한 특성을 많이 유지합니다.

● 기계적 성질이 우수합니다. 재결정화된 탄화규소는 탄소 섬유보다 강도와 강성이 높고 내충격성이 높으며 극한 온도 환경에서 우수한 성능을 발휘할 수 있으며 다양한 상황에서 더 나은 균형 성능을 발휘할 수 있습니다. 또한 유연성도 좋아 늘어나거나 구부려도 쉽게 손상되지 않아 성능이 크게 향상됩니다.

● 높은 내식성. 재결정화된 탄화규소는 다양한 매체에 대한 내식성이 높고, 다양한 부식성 매체의 침식을 방지할 수 있으며, 기계적 성질을 오랫동안 유지할 수 있고, 접착력이 강하여 수명이 길어집니다. 또한 열 안정성이 뛰어나 특정 온도 변화 범위에 적응할 수 있어 적용 효과가 향상됩니다.

● 소결은 수축되지 않습니다. 소결과정에서 수축이 발생하지 않기 때문에 잔류응력에 의한 제품의 변형이나 균열이 발생하지 않으며, 복잡한 형상과 고정밀도의 부품을 제작할 수 있습니다.

中结晶碳化硅물리특성

재결정화된 탄화규소의 물리적 특성

성별 / 재산

典型数值 / 대표값

사용온도/ 작동 온도(°C)

1600°C(산소 포함), 1700°C(환원 환경)

SiC/ SiC 함량

> 99.96%

자작Si含량/ 무료 Si 콘텐츠

< 0.1%

체감도/부피 밀도

2.60-2.70g/cm23

气孔率/ 겉보기 다공성

< 16%

抗压强도/ 압축강도

> 600MPa

常温抗弯强degree/냉간 굽힘 강도

80-90MPa(20°C)

고온발효도뜨거운 굽힘 강도

90-100MPa(1400°C)

热膨胀系数/ 열팽창 @1500°C

4.70 10-6/°C

导熭系数/열전도도 @1200°C

23W/m•K

杨氏模량/ 탄성률

240GPa

抗熱震性/ 열충격 저항

매우 좋음

VET에너지는 그만큼CVD 코팅을 적용한 맞춤형 흑연 및 탄화 규소 제품의 실제 제조업체,공급할 수 있다다양한반도체 및 태양광 산업을 위한 맞춤형 부품입니다. O귀하의 기술팀은 국내 최고의 연구 기관 출신이므로 보다 전문적인 재료 솔루션을 제공할 수 있습니다.당신을 위한.

보다 진보된 소재를 제공하기 위해 지속적으로 첨단 프로세스를 개발하고,그리고코팅과 기판 사이의 결합을 더 단단하게 만들고 분리 가능성을 줄일 수 있는 독점적인 특허 기술을 개발했습니다.

CVD SiC薄膜基本식물리성能

CVD SiC의 기본 물리적 특성코팅

성별 / 재산

典型数值 / 대표값

晶体结构 / 결정구조

FCC β상多晶,主要为(111) 取向

크기 / 밀도

3.21g/cm³

정도 / 경도

2500 维氏硬도(500g 부하)

晶粒大小 / 입자 크기

2~10μm

정도 / 화학적 순도

99.99995%

발열 / 열용량

640J·kg-1·케이-1

升华温도 / 승화온도

2700℃

抗弯强島 / 굴곡강도

415MPa RT 4점

杨氏模량 / 영률

430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃

导熭系数 / 써마전도도

300W·m-1·케이-1

热膨胀系数 / 열팽창(CTE)

4.5×10-6K-1

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