SiC コーティングされたグラファイト ハーフムーン パーツis a 鍵半導体製造プロセス、特にSiCエピタキシャル装置に使用される部品。特許技術により半月部分を製作しております。極めて純度が高く、良いコーティング均一優れた耐用年数、 同様に高い耐薬品性と熱安定性を備えています。
VETエネルギーは のCVDコーティングを施したカスタマイズされたグラファイトおよび炭化ケイ素製品の本物のメーカー、供給できる様々な半導体および太陽光発電産業向けにカスタマイズされた部品。 O当社の技術チームは国内トップクラスの研究機関から来ており、より専門的な材料ソリューションを提供できます。あなたのために。
私たちは、より高度な材料を提供するために高度なプロセスを継続的に開発し、そしては、コーティングと基材の間の結合をより強固にし、剥がれにくくすることができる独自の特許技術を開発しました。
F当社製品の特徴:
1. 1700 までの高温耐酸化性℃.
2.高純度かつ熱均一性
3. 酸、アルカリ、塩、有機試薬に対する優れた耐食性。
4. 高硬度、緻密な表面、微細な粒子。
5. より長い耐用年数とより耐久性のある
| CVD SiC膜の基本物理性能 CVD SiCの基本物性コーティング | |
| 性质 / 財産 | 典型的な数値 / 代表値 |
| 結晶構造 / 結晶構造 | FCC βフェーズ多結晶、主である（111）取向 |
| 密度 / 密度 | 3.21 g/cm3 |
| 硬度 / 硬度 | 2500维度硬度（500g荷重） |
| 結晶粒大小 / 粒度 | 2～10μm |
| 度 / 化学純度 | 99.99995% |
| 熱容 / 熱容量 | 640J・kg-1・K-1 |
| 昇华温度 / 昇華温度 | 2700℃ |
| 抗强度 / 曲げ強度 | 415MPa RT 4点 |
| 杨氏模量 / ヤング率 | 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃ |
| 导熱系数 / テルマ私導電率 | 300W・m-1・K-1 |
| 熱膨張胀系数 / 熱膨張(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
私たちの工場を訪問することを温かく歓迎します、さらなる議論をしましょう！
