VET Energy の 8 インチ P タイプ シリコン ウェーハは、太陽電池、MEMS デバイス、集積回路などの幅広い半導体アプリケーション向けに設計された高性能シリコン ウェーハです。優れた導電性と一貫した性能で知られるこのウェーハは、信頼性が高く効率的な電子部品の製造を求めるメーカーにとって好ましい選択肢です。 VET Energy は、最適なデバイス製造のための正確なドーピング レベルと高品質の表面仕上げを保証します。
これらの 8 インチ P タイプ シリコン ウェーハは、SiC 基板、SOI ウェーハ、SiN 基板などのさまざまな材料と完全に互換性があり、エピウェーハの成長に適しており、高度な半導体製造プロセスの多用途性を保証します。このウェーハは、酸化ガリウム Ga2O3 や AlN ウェーハなどの他のハイテク材料と組み合わせて使用することもできるため、次世代の電子アプリケーションに最適です。また、堅牢な設計はカセットベースのシステムにもシームレスに適合し、効率的で大量の生産処理を保証します。
VET Energy は、顧客にカスタマイズされたウェーハ ソリューションを提供します。お客様の特定のニーズに応じて、抵抗率、酸素含有量、厚さなどの異なるウェーハをカスタマイズできます。また、生産過程で発生するさまざまな問題を解決するために、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供しています。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
弓(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ウェーハエッジ | 面取り |
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
表面仕上げ | 両面光学研磨、Si-Face CMP | ||||
表面粗さ | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
エッジチップ | なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm) | ||||
インデント | 何も許可されていません | ||||
キズ(Si-Face) | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | ||
ひび割れ | 何も許可されていません | ||||
エッジの除外 | 3mm |