VET Energy の 4 インチ GaAs ウェハは、RF アンプ、LED、太陽電池などの高速光電子デバイスに不可欠な材料です。これらのウェーハは、電子移動度が高く、より高い周波数で動作できることで知られており、高度な半導体アプリケーションの重要なコンポーネントとなっています。 VET Energy は、要求の厳しいさまざまな製造プロセスに適した、厚さが均一で欠陥が最小限に抑えられた最高品質の GaAs ウェーハを保証します。
これらの 4 インチ GaAs ウェハは、Si ウェハ、SiC 基板、SOI ウェハ、SiN 基板などのさまざまな半導体材料と互換性があり、さまざまなデバイス アーキテクチャへの統合に多用途に使用できます。エピウェーハの製造に使用する場合でも、酸化ガリウム Ga2O3 や AlN ウェーハなどの最先端の材料と併用する場合でも、これらは次世代エレクトロニクスの信頼できる基盤を提供します。さらに、ウェーハはカセットベースのハンドリング システムと完全に互換性があり、研究環境と大量生産環境の両方でスムーズな運用を保証します。
VET Energy は、Si ウェーハ、SiC 基板、SOI ウェーハ、SiN 基板、エピウェーハ、酸化ガリウム Ga2O3、AlN ウェーハなどの半導体基板の包括的なポートフォリオを提供しています。当社の多様な製品ラインは、パワーエレクトロニクスからRF、オプトエレクトロニクスまで、さまざまな電子アプリケーションのニーズに応えます。
VET Energy は、さまざまなドーピング レベル、配向、表面仕上げなど、お客様の特定の要件を満たすカスタマイズ可能な GaAs ウェーハを提供します。当社の専門家チームは、お客様の成功を保証するための技術サポートとアフターサービスを提供します。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
弓(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ウェーハエッジ | 面取り |
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
表面仕上げ | 両面光学研磨、Si-Face CMP | ||||
表面粗さ | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
エッジチップ | なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm) | ||||
インデント | 何も許可されていません | ||||
キズ(Si-Face) | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | ||
ひび割れ | 何も許可されていません | ||||
エッジの除外 | 3mm |