12インチSOIウェーハ

簡単な説明:

VET Energy が自信をもってお届けする驚異の技術である、最先端の 12 インチ SOI ウェーハで、これまでにないイノベーションを体験してください。精度と専門知識を駆使して作られたこのシリコン オン インシュレーター ウェーハは、業界標準を再定義し、比類のない品質とパフォーマンスを提供します。


製品詳細

製品タグ

VET Energy 12 インチ SOI ウェーハは、その優れた電気特性と独自の構造により高く評価されている高性能半導体基板材料です。 VET Energy は、高度な SOI ウェーハ製造プロセスを使用して、ウェーハのリーク電流が極めて低く、高速性と耐放射線性を確保し、高性能集積回路の強固な基盤を提供します。

VET Energy の製品ラインは SOI ウェーハに限定されません。 Siウェハ、SiC基板、SiN基板、エピウェハなどの半導体基板材料をはじめ、酸化ガリウムGa2O3やAlNウェハなどの新規ワイドバンドギャップ半導体材料も幅広く提供しております。これらの製品は、パワー エレクトロニクス、RF、センサー、その他の分野におけるさまざまな顧客のアプリケーション ニーズを満たすことができます。

卓越性を重視した当社の SOI ウェーハは、酸化ガリウム Ga2O3、カセット、AlN ウェーハなどの先進的な材料も使用しており、あらゆる運用レベルでの信頼性と効率を確保しています。 VET Energy を信頼して、技術の進歩への道を切り開く最先端のソリューションを提供してください。

VET Energy 12 インチ SOI ウェーハの優れたパフォーマンスでプロジェクトの可能性を解き放ちます。品質、精度、イノベーションを体現するウェーハでイノベーション能力を高め、半導体テクノロジーのダイナミックな分野での成功の基礎を築きます。期待を超えるプレミアム SOI ウェーハ ソリューションを実現するには、VET Energy をお選びください。

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ウェーハ仕様

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-P

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

弓(GF3YFCD)-絶対値

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ワープ(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

ウェーハエッジ

面取り

表面仕上げ

*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁

アイテム

8インチ

6インチ

4インチ

nP

n-午後

n-P

SI

SI

表面仕上げ

両面光学研磨、Si-Face CMP

表面粗さ

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C面Ra≤0.5nm

エッジチップ

なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm)

インデント

何も許可されていません

キズ(Si-Face)

数量≤5、累積
長さ≦0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累積
長さ≦0.5×ウェーハ直径

数量≤5、累積
長さ≦0.5×ウェーハ直径

ひび割れ

何も許可されていません

エッジの除外

3mm

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