VET Energy の 6 インチ半絶縁 SiC ウェーハは、高出力および高周波アプリケーション向けの高度なソリューションであり、優れた熱伝導性と電気絶縁性を提供します。これらの半絶縁ウェーハは、RF アンプ、電源スイッチ、その他の高電圧コンポーネントなどのデバイスの開発に不可欠です。 VET Energy は一貫した品質と性能を保証し、これらのウェーハを幅広い半導体製造プロセスに最適なものにします。
これらの SiC ウェハは、優れた絶縁特性に加えて、Si ウェハ、SiC 基板、SOI ウェハ、SiN 基板、エピウェハなどのさまざまな材料と互換性があり、さまざまなタイプの製造プロセスに多用途に使用できます。さらに、酸化ガリウム Ga2O3 や AlN ウェハなどの先進的な材料をこれらの SiC ウェハと組み合わせて使用できるため、高出力電子デバイスの柔軟性がさらに高まります。ウェーハは、カセット システムなどの業界標準のハンドリング システムとシームレスに統合できるように設計されており、量産環境での使いやすさを保証します。
VET Energy は、Si ウェーハ、SiC 基板、SOI ウェーハ、SiN 基板、エピウェーハ、酸化ガリウム Ga2O3、AlN ウェーハなどの半導体基板の包括的なポートフォリオを提供しています。当社の多様な製品ラインは、パワーエレクトロニクスからRF、オプトエレクトロニクスまで、さまざまな電子アプリケーションのニーズに応えます。
6 インチの半絶縁性 SiC ウェーハには、いくつかの利点があります。
高ブレークダウン電圧: SiC の広いバンドギャップにより、より高いブレークダウン電圧が可能になり、よりコンパクトで効率的なパワー デバイスが可能になります。
高温動作: SiC の優れた熱伝導率により、高温での動作が可能になり、デバイスの信頼性が向上します。
低いオン抵抗: SiC デバイスはオン抵抗が低いため、電力損失が低減され、エネルギー効率が向上します。
VET Energy は、さまざまな厚さ、ドーピング レベル、表面仕上げなど、お客様の特定の要件を満たすカスタマイズ可能な SiC ウェーハを提供します。当社の専門家チームは、お客様の成功を保証するための技術サポートとアフターサービスを提供します。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
弓(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ウェーハエッジ | 面取り |
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
表面仕上げ | 両面光学研磨、Si-Face CMP | ||||
表面粗さ | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
エッジチップ | なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm) | ||||
インデント | 何も許可されていません | ||||
キズ(Si-Face) | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | ||
ひび割れ | 何も許可されていません | ||||
エッジの除外 | 3mm |