VET Energy が提供する半導体製造用 12 インチ シリコン ウェーハは、半導体業界で要求される正確な基準を満たすように設計されています。 VET Energy は、当社のラインナップの主要製品の 1 つとして、これらのウェーハが正確な平坦度、純度、表面品質で製造されることを保証し、マイクロチップ、センサー、高度な電子デバイスなどの最先端の半導体アプリケーションに最適です。
このウェーハは、Siウェーハ、SiC基板、SOIウェーハ、SiN基板、エピウェーハなどの幅広い材料と互換性があり、さまざまな製造プロセスに優れた汎用性を提供します。さらに、酸化ガリウム Ga2O3 や AlN ウェハーなどの高度なテクノロジーとうまく組み合わせて、高度に専門化されたアプリケーションに確実に統合できます。スムーズな動作を実現するために、ウェーハは業界標準のカセット システムで使用するように最適化されており、半導体製造における効率的な取り扱いが保証されています。
VET Energy の製品ラインはシリコン ウェーハに限定されません。 SiC基板、SOIウエハ、SiN基板、エピウエハ等の半導体基板材料をはじめ、酸化ガリウムGa2O3やAlNウエハ等の新規ワイドバンドギャップ半導体材料も幅広く提供しております。これらの製品は、パワー エレクトロニクス、高周波、センサー、その他の分野におけるさまざまな顧客のアプリケーション ニーズを満たすことができます。
応用分野:
•ロジックチップ:CPUやGPUなどの高性能ロジックチップの製造。
•メモリチップ:DRAMやNANDフラッシュなどのメモリチップの製造。
•アナログチップ:ADCやDACなどのアナログチップの製造。
•センサー:MEMSセンサー、イメージセンサーなど
VET Energy は、顧客にカスタマイズされたウェーハ ソリューションを提供し、顧客の特定のニーズに応じて、異なる抵抗率、異なる酸素含有量、異なる厚さ、その他の仕様のウェーハをカスタマイズできます。さらに、お客様が生産プロセスを最適化し、製品の歩留まりを向上できるよう、専門的な技術サポートとアフターサービスも提供しています。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
弓(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ウェーハエッジ | 面取り |
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
nP | n-午後 | n-P | SI | SI | |
表面仕上げ | 両面光学研磨、Si-Face CMP | ||||
表面粗さ | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
エッジチップ | なし 許可(長さおよび幅≧0.5mm) | ||||
インデント | 何も許可されていません | ||||
キズ(Si-Face) | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | 数量≤5、累積 | ||
ひび割れ | 何も許可されていません | ||||
エッジの除外 | 3mm |