炭化ケイ素 (SiC) エピタキシャルウェハ

VET Energy 炭化ケイ素 (SiC) エピタキシャル ウェーハは、優れた高温耐性、高周波、高出力特性を備えた高性能ワイドバンドギャップ半導体材料です。新世代のパワーエレクトロニクスデバイスに最適な基板です。 VET Energy は、高度な MOCVD エピタキシャル技術を使用して、SiC 基板上に高品質の SiC エピタキシャル層を成長させ、ウェーハの優れた性能と一貫性を保証します。

当社の炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェーハは、Siウェーハ、SiC基板、SOIウェーハ、SiN基板などのさまざまな半導体材料との優れた適合性を備えています。堅牢なエピタキシャル層により、エピウェーハの成長や酸化ガリウム Ga2O3 や AlN ウェーハなどの材料との統合などの高度なプロセスをサポートし、さまざまなテクノロジーにわたる多用途の使用を保証します。業界標準のカセット ハンドリング システムと互換性があるように設計されており、半導体製造環境での効率的かつ合理化された操作が保証されます。

VET Energy の製品ラインは SiC エピタキシャル ウェーハに限定されません。また、Siウェハ、SiC基板、SOIウェハ、SiN基板、エピウェハなどの半導体基板材料も幅広く提供しています。また、酸化ガリウムGa2O3やAlNなどの新しいワイドバンドギャップ半導体材料の開発にも積極的に取り組んでいます。ウェーハは、より高性能のデバイスに対する将来のパワーエレクトロニクス業界の需要に応えます。