Rivestimento SiC/substrato/vassoio in grafite rivestita per semiconduttori

Rivestimento SiC/substrato di grafite rivestito/vassoio per semiconduttori Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Il suscettore in grafite rivestito in SiC VET Energy per la crescita epitassiale è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.

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Rivestimento SiC/rivestimento di suscettore in grafite per semiconduttori

ILSubstrato di grafite rivestito in SiCè una soluzione altamente durevole ed efficiente progettata per soddisfare le rigorose esigenze dell'industria della lavorazione dei semiconduttori. Caratterizzato da uno strato di elevata purezzarivestimento in carburo di silicio (SiC)., questo substrato offre eccezionale stabilità termica, resistenza all'ossidazione e durata operativa prolungata, rendendolo ideale per applicazioni nei processi MOCVD, supporti per wafer di grafite e altri ambienti ad alta temperatura.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
·Utilizzabile in atmosfera ossidante

Applicazione:

Caratteristiche e vantaggi del prodotto:

1. Resistenza termica superiore:Con elevata purezzaRivestimento SiC, il substrato resiste a temperature estreme, garantendo prestazioni costanti in ambienti impegnativi come l'epitassia e la fabbricazione di semiconduttori.

2. Maggiore durata:I componenti in grafite rivestiti in SiC sono progettati per resistere alla corrosione chimica e all'ossidazione, aumentando la durata del substrato rispetto ai substrati in grafite standard.

3. Grafite rivestita in vetro:La struttura vitrea unica delRivestimento SiCfornisce un'eccellente durezza superficiale, riducendo al minimo l'usura durante la lavorazione ad alta temperatura.

4. Rivestimento SiC ad elevata purezza:Il nostro substrato garantisce una contaminazione minima nei processi sensibili dei semiconduttori, offrendo affidabilità per le industrie che richiedono una rigorosa purezza dei materiali.

5. Ampia applicazione di mercato:ILSuscettore in grafite rivestita in SiCIl mercato continua a crescere man mano che aumenta la domanda di prodotti avanzati rivestiti in SiC nella produzione di semiconduttori, posizionando questo substrato come attore chiave sia nel mercato dei supporti per wafer in grafite che in quello dei vassoi in grafite rivestiti in carburo di silicio.

Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:

Densità apparente:	1,85 g/cm3
Resistività elettrica:	11μΩm
Resistenza alla flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cenere:	<5 ppm
Conducibilità termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 / Valore tipico
晶体结构 / Struttura cristallina	Fase β FCC 多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico di 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 / Conducibilità termica	300W·m^-1·K^-1
Dilatazione termica / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come rivestimento SiC, rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica.

Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.

Un caloroso benvenuto a visitare la nostra fabbrica, disponiamo di ulteriori discussioni!