Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli shock fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza estremamente elevata
· Disponibilità in forma complessa
·Utilizzabile in atmosfera ossidante
Applicazione:
Caratteristiche e vantaggi del prodotto:
1. Resistenza termica superiore:Con elevata purezzaRivestimento SiC, il substrato resiste a temperature estreme, garantendo prestazioni costanti in ambienti impegnativi come l'epitassia e la fabbricazione di semiconduttori.
2. Maggiore durata:I componenti in grafite rivestiti in SiC sono progettati per resistere alla corrosione chimica e all'ossidazione, aumentando la durata del substrato rispetto ai substrati in grafite standard.
3. Grafite rivestita in vetro:La struttura vitrea unica delRivestimento SiCfornisce un'eccellente durezza superficiale, riducendo al minimo l'usura durante la lavorazione ad alta temperatura.
4. Rivestimento SiC ad elevata purezza:Il nostro substrato garantisce una contaminazione minima nei processi sensibili dei semiconduttori, offrendo affidabilità per le industrie che richiedono una rigorosa purezza dei materiali.
5. Ampia applicazione di mercato:ILSuscettore in grafite rivestita in SiCIl mercato continua a crescere con l'aumento della domanda di prodotti avanzati rivestiti in SiC nella produzione di semiconduttori, posizionando questo substrato come attore chiave sia nel mercato dei supporti per wafer in grafite che in quello dei vassoi in grafite rivestiti in carburo di silicio.
Proprietà tipiche del materiale di base in grafite:
Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
Resistività elettrica: | 11μΩm |
Resistenza alla flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Durezza Shore: | 58 |
Cenere: | <5 ppm |
Conducibilità termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche fondamentali del SiC CVDrivestimento | |
性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC 多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico da 500 g) |
晶粒大小 / Granulometria | 2~10μm |
纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
杨氏模量 / Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
导热系数 / Conducibilità termica | 300W·m-1·K-1 |
Dilatazione termica / Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come rivestimento SiC, rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., può fornire varie parti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica.
Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornirti soluzioni materiali più professionali.
Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali sempre più avanzati e abbiamo elaborato un'esclusiva tecnologia brevettata, che può rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno incline al distacco.
Un caloroso benvenuto a visitare la nostra fabbrica, discutiamo ulteriormente!