Tamburo con parte a mezzaluna rivestito in SiC utilizzato nelle apparecchiature epitassiali SiC

Breve descrizione:

Introduzione e utilizzo del prodotto: tubo al quarzo collegato, può far passare il gas per azionare la rotazione della base del vassoio, controllo della temperatura

Ubicazione del dispositivo del prodotto: nella camera di reazione, non a diretto contatto con il wafer

Principali prodotti a valle: dispositivi di potenza

Principale mercato dei terminali: veicoli a nuova energia

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Dettagli del prodotto

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Parte mezzaluna in grafite rivestita in SiCis a chiavecomponente utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori, in particolare per apparecchiature epitassiali SiC.Usiamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare la parte a mezzalunapurezza estremamente elevata,Benerivestimentouniformitàe un'eccellente durata, così comeelevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

VET L'energia è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariparti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornire soluzioni materiali più professionaliper te.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno messo a punto un'esclusiva tecnologia brevettata, in grado di rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno soggetto a distaccamenti.

Fcaratteristiche dei nostri prodotti:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700℃.
2. Elevata purezza euniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Maggiore durata e maggiore durata

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche fondamentali del SiC CVDrivestimento
性质 / Proprietà	典型数值 /Valore tipico
晶体结构 / Struttura cristallina	Fase β dell'FCC多晶,主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 tonnellate di carico (carico da 500 g)
晶粒大小 / Granulometria	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 /Temperatura di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
杨氏模量 / Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
导热系数 /TermelConduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1