Fréttir

Kynning á þriðju kynslóð hálfleiðara GaN og tengdri epitaxial tækni
af stjórnanda 24-06-25
1. Þriðja kynslóðar hálfleiðarar Fyrsta kynslóðar hálfleiðaratæknin var þróuð byggð á hálfleiðaraefnum eins og Si og Ge. Það er efnislegur grunnur fyrir þróun smára og samþættrar hringrásartækni. Fyrstu kynslóðar hálfleiðaraefnin lögðu f...
Lestu meira
Tölufræðileg hermirannsókn á áhrifum gljúps grafíts á vöxt kísilkarbíðkristalla
af stjórnanda 24-06-18
Grunnferli SiC kristalvaxtar er skipt í sublimation og niðurbrot hráefna við háan hita, flutning gasfasaefna undir áhrifum hitastigs og endurkristöllunarvöxt gasfasaefna við frækristallinn. Byggt á þessu er...
Lestu meira
Tegundir sérstaks grafíts
af stjórnanda 24-06-17
Sérstakt grafít er hár hreinleiki, hár þéttleiki og hár styrkur grafít efni og hefur framúrskarandi tæringarþol, háan hita stöðugleika og mikla rafleiðni. Það er gert úr náttúrulegu eða gervi grafíti eftir háhita hitameðferð og háþrýstingsvinnslu ...
Lestu meira
Greining á þunnfilmuútfellingarbúnaði - meginreglur og notkun PECVD/LPCVD/ALD búnaðar
eftir stjórnanda þann 24-06-12
Þunn filmuútfelling er að húða lag af filmu á aðal undirlagsefni hálfleiðarans. Þessi filma getur verið gerð úr ýmsum efnum, eins og einangrunarsamsettu kísildíoxíði, hálfleiðara pólýkísil, málmkopar o.s.frv. Búnaðurinn sem notaður er við húðun er kallaður þunnfilmuútfelling...
Lestu meira
Mikilvæg efni sem ákvarða gæði einkristallaðs kísilvaxtar – varmasvið
eftir stjórnanda þann 24-06-12
Vaxtarferlið einkristallaðs sílikons fer algjörlega fram á hitasviðinu. Gott varmasvið er til þess fallið að bæta gæði kristalla og hefur meiri kristöllunarvirkni. Hönnun hitasviðsins ræður mestu um breytingar á hitastigum...
Lestu meira
Hverjir eru tæknilegir erfiðleikar kísilkarbíð kristalvaxtarofns?
af stjórnanda 24-06-07
Kristallvaxtarofninn er kjarnabúnaður fyrir kísilkarbíð kristalvöxt. Það er svipað og hefðbundinn kristalvöxtur ofninn með kristallað sílikon bekk. Uppbygging ofnsins er ekki mjög flókin. Það er aðallega samsett úr ofni, hitakerfi, spóluflutningsbúnaði ...
Lestu meira
Hverjir eru gallar kísilkarbíðs epitaxial lags
af stjórnanda 24-06-05
Kjarnatæknin fyrir vöxt SiC epitaxial efnis er í fyrsta lagi gallastjórnunartækni, sérstaklega fyrir gallastjórnunartækni sem er viðkvæm fyrir bilun í búnaði eða skerðingu á áreiðanleika. Rannsóknir á verkunarháttum hvarfefnisgalla sem ná inn í epi...
Lestu meira
Oxað standandi korn og epitaxial vaxtartækni-Ⅱ
af stjórnanda 24-05-30
3. Vöxtur þunnrar filmu í þekju. Undirlagið veitir líkamlegt stuðningslag eða leiðandi lag fyrir Ga2O3 raforkutæki. Næsta mikilvæga lagið er rásalagið eða epitaxial lagið sem notað er fyrir spennuviðnám og flutningsburð. Til þess að auka bilunarspennu og lágmarka leið...
Lestu meira
Gallíumoxíð einkristal og epitaxial vaxtartækni
af stjórnanda 24-05-30
Wide bandgap (WBG) hálfleiðarar táknaðir með kísilkarbíði (SiC) og gallíumnítríði (GaN) hafa fengið mikla athygli. Fólk hefur miklar væntingar til notkunarhorfa kísilkarbíðs í rafknúnum ökutækjum og raforkunetum, sem og notkunarhorfum gallíums...
Lestu meira