Nke a 6 Inch N Ụdị SiC Wafer bụ nke a na-emezi maka ịrụ ọrụ na-arụ ọrụ na ọnọdụ dị oke egwu, na-eme ka ọ bụrụ nhọrọ dị mma maka ngwa ndị chọrọ ike dị elu na nkwụsị okpomọkụ. Ngwaahịa ndị dị mkpa jikọtara na wafer a gụnyere Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, na Sin Substrate. Ihe ndị a na-eme ka arụmọrụ dị mma na usoro mmepụta ihe dị iche iche nke semiconductor, na-enye ngwaọrụ ndị na-arụ ọrụ ike ma na-adịgide adịgide.
Maka ụlọ ọrụ na-arụ ọrụ na Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, ma ọ bụ AlN Wafer, VET Energy's 6 Inch N Ụdị SiC Wafer na-enye ntọala dị mkpa maka mmepe ngwaahịa ọhụrụ. Ma ọ bụ n'igwe eletrọnịkị dị elu ma ọ bụ nke kachasị ọhụrụ na teknụzụ RF, wafers ndị a na-eme ka arụmọrụ dị mma na obere nguzogide okpomọkụ, na-akwalite oke arụmọrụ na arụmọrụ.
Nkọwapụta WAFERING
*n-Pm=n-ụdị Pm-Grade,n-Ps=n-ụdị Ps-Grade,Sl=Ọkara ala.
Ihe | 8-anụ ọhịa | 6-anụ ọhịa | 4-anụ ọhịa | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Ụta(GF3YFCD)-Uru zuru oke | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
IMEcha elu elu
*n-Pm=n-ụdị Pm-Grade,n-Ps=n-ụdị Ps-Grade,Sl=Ọkara ala.
Ihe | 8-anụ ọhịa | 6-anụ ọhịa | 4-anụ ọhịa | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Emecha elu elu | Akụkụ abụọ Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Ọdịdị elu | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
ibe ibe | Ọnweghị nke ekwenyere (ogologo na obosara≥0.5mm) | ||||
Indents | Ọnweghị nke ekwenyere | ||||
Scratches (Si-Ihu) | Qty.≤5,Nchịkọta | Qty.≤5,Nchịkọta | Qty.≤5,Nchịkọta | ||
Mgbawa | Ọnweghị nke ekwenyere | ||||
Mwepu ihu | 3mm |