A szilícium-karbamiddal bevont szuszcetpor a különböző félvezető-gyártási folyamatok kulcsfontosságú összetevője. Szabadalmaztatott technológiánkat használjuk a SiC bevonatú szuszcetpor rendkívül nagy tisztaságú, jó bevonategyenletességű és kiváló élettartamú, valamint magas vegyszerállósági és hőstabilitási tulajdonságok előállításához.
Termékeink jellemzői:
1. Magas hőmérsékletű oxidációállóság 1700 ℃-ig.
2. Nagy tisztaságú és termikus egyenletesség
3. Kiváló korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
4. Nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.
5. Hosszabb élettartam és tartósabb
| CVD SiC薄膜基本物理性能 A CVD SiC alapvető fizikai tulajdonságaibevonat | |
| 性质 / Ingatlan | 典型数值 / Tipikus érték |
| 晶体结构 / Kristályszerkezet | FCC β fázis多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Sűrűség | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Keménység | 2500 维氏硬度 (500 g töltet) |
| 晶粒大小 / Grain Size | 2~10μm |
| 纯度 / Kémiai tisztaság | 99,99995% |
| 热容 / Hőkapacitás | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Szublimációs hőmérséklet | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Hajlítóerő | 415 MPa RT 4 pontos |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalVezetőképesség | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Hőtágulás (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Szeretettel üdvözöljük, hogy látogassa meg gyárunkat, beszéljünk tovább!
