Oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC).

A oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) VET Energy é un material semicondutor de banda ampla de alto rendemento con excelente resistencia a altas temperaturas, alta frecuencia e características de alta potencia. É un substrato ideal para a nova xeración de dispositivos electrónicos de potencia. VET Energy utiliza tecnoloxía epitaxial MOCVD avanzada para cultivar capas epitaxiais de SiC de alta calidade sobre substratos de SiC, garantindo o excelente rendemento e consistencia da oblea.

A nosa oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) ofrece unha excelente compatibilidade con unha variedade de materiais semicondutores, incluíndo oblea de Si, substrato de SiC, oblea SOI e substrato de SiN. Coa súa robusta capa epitaxial, admite procesos avanzados como o crecemento Epi Wafer e a integración con materiais como o óxido de galio Ga2O3 e AlN Wafer, o que garante un uso versátil en diferentes tecnoloxías. Deseñado para ser compatible cos sistemas de manipulación de casetes estándar da industria, garante operacións eficientes e racionalizadas en ambientes de fabricación de semicondutores.

A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas epitaxiais de SiC. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutores, incluíndo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Wafer, para satisfacer a demanda futura da industria electrónica de potencia de dispositivos de maior rendemento.