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Quels sont les obstacles techniques au carbure de silicium ?Ⅱ
Les difficultés techniques liées à la production stable et en masse de plaquettes de carbure de silicium de haute qualité avec des performances stables comprennent : 1) Étant donné que les cristaux doivent se développer dans un environnement scellé à haute température au-dessus de 2 000 °C, les exigences de contrôle de la température sont extrêmement élevées ; 2) Puisque le carbure de silicium a plus...En savoir plus -
Quels sont les freins techniques au carbure de silicium ?
La première génération de matériaux semi-conducteurs est représentée par le silicium (Si) et le germanium (Ge) traditionnels, qui constituent la base de la fabrication des circuits intégrés. Ils sont largement utilisés dans les transistors et détecteurs basse tension, basse fréquence et basse puissance. Plus de 90 % de la production de semi-conducteurs...En savoir plus -
Comment est fabriquée la micropoudre SiC ?
Le monocristal SiC est un matériau semi-conducteur composé du groupe IV-IV composé de deux éléments, Si et C, dans un rapport stoechiométrique de 1:1. Sa dureté est juste derrière le diamant. La méthode de réduction du carbone de l'oxyde de silicium pour préparer du SiC est principalement basée sur la formule de réaction chimique suivante...En savoir plus -
Comment les couches épitaxiales aident-elles les dispositifs semi-conducteurs ?
L'origine du nom plaquette épitaxiale Tout d'abord, vulgarisons un petit concept : la préparation d'une plaquette comprend deux maillons majeurs : la préparation du substrat et le processus d'épitaxie. Le substrat est une tranche constituée d'un matériau monocristallin semi-conducteur. Le substrat peut entrer directement dans la fabrication des plaquettes...En savoir plus -
Introduction à la technologie de dépôt de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie importante de dépôt de couches minces, souvent utilisée pour préparer divers films fonctionnels et matériaux en couches minces, et est largement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs et dans d'autres domaines. 1. Principe de fonctionnement du CVD Dans le procédé CVD, un précurseur de gaz (un ou plusieurs...En savoir plus -
Le secret de « l’or noir » derrière l’industrie des semi-conducteurs photovoltaïques : le désir et la dépendance au graphite isostatique
Le graphite isostatique est un matériau très important dans le photovoltaïque et les semi-conducteurs. Avec l’essor rapide des entreprises nationales de graphite isostatique, le monopole des entreprises étrangères en Chine a été brisé. Avec une recherche et un développement indépendants continus et des percées technologiques, le ...En savoir plus -
Dévoilement des caractéristiques essentielles des bateaux en graphite dans la fabrication de céramiques semi-conductrices
Les bateaux en graphite, également connus sous le nom de bateaux en graphite, jouent un rôle crucial dans les processus complexes de fabrication des céramiques semi-conductrices. Ces récipients spécialisés servent de supports fiables pour les tranches de semi-conducteurs lors des traitements à haute température, garantissant un traitement précis et contrôlé. Avec ...En savoir plus -
La structure interne de l'équipement du tube du four est expliquée en détail
Comme indiqué ci-dessus, la première moitié est typique : Élément chauffant (serpentin chauffant) : situé autour du tube du four, généralement constitué de fils de résistance, utilisé pour chauffer l'intérieur du tube du four. Tube de quartz : Le noyau d'un four d'oxydation à chaud, fait de quartz de haute pureté pouvant résister à des températures élevées...En savoir plus -
Effets du substrat SiC et des matériaux épitaxiaux sur les caractéristiques des dispositifs MOSFET
Défaut triangulaire Les défauts triangulaires sont les défauts morphologiques les plus mortels dans les couches épitaxiales de SiC. Un grand nombre de publications ont montré que la formation de défauts triangulaires est liée à la forme cristalline 3C. Cependant, en raison de différents mécanismes de croissance, la morphologie de nombreux tr...En savoir plus
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