Nouvelles

BJT, CMOS, DMOS et autres technologies de processus semi-conducteurs
par administrateur le 24-09-10
Bienvenue sur notre site Web pour obtenir des informations et des consultations sur les produits. Notre site Web : https://www.vet-china.com/ Alors que les processus de fabrication de semi-conducteurs continuent de faire des percées, une célèbre déclaration appelée « loi de Moore » circule dans l'industrie. C'était p...
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Processus de création de motifs de semi-conducteurs, gravure en flux
par administrateur le 24-09-10
Les premières gravures humides ont favorisé le développement de procédés de nettoyage ou de incinération. Aujourd’hui, la gravure sèche au plasma est devenue le procédé de gravure courant. Le plasma est constitué d'électrons, de cations et de radicaux. L'énergie appliquée au plasma provoque l'apparition des électrons les plus externes de...
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Recherche sur le four épitaxial SiC de 8 pouces et le procédé homoépitaxial-Ⅱ
par administrateur le 24-09-04
2 Résultats expérimentaux et discussion 2.1 Épaisseur et uniformité de la couche épitaxiale L'épaisseur de la couche épitaxiale, la concentration de dopage et l'uniformité sont l'un des indicateurs de base pour juger de la qualité des tranches épitaxiales. Épaisseur contrôlable avec précision, dopage co...
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Recherche sur le four épitaxial SiC de 8 pouces et le procédé homoépitaxial-Ⅰ
par administrateur le 24-09-04
Actuellement, l'industrie du SiC passe de 150 mm (6 pouces) à 200 mm (8 pouces). Afin de répondre à la demande urgente de l'industrie en plaquettes homoépitaxiales SiC de grande taille et de haute qualité, des plaquettes homoépitaxiales SiC 4H-SiC de 150 mm et 200 mm ont été préparées avec succès sur do...
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Optimisation de la structure des pores du carbone poreux -Ⅱ
par administrateur le 24-08-27
Bienvenue sur notre site Web pour obtenir des informations et des consultations sur les produits. Notre site Web : https://www.vet-china.com/ Méthode d'activation physique et chimique La méthode d'activation physique et chimique fait référence à la méthode de préparation de matériaux poreux en combinant les deux actions ci-dessus...
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Optimisation de la structure des pores du carbone poreux-Ⅰ
par administrateur le 24-08-27
Bienvenue sur notre site Web pour obtenir des informations et des consultations sur les produits. Notre site Web : https://www.vet-china.com/ Cet article analyse le marché actuel du charbon actif, effectue une analyse approfondie des matières premières du charbon actif, présente la structure des pores...
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Flux de processus des semi-conducteurs-Ⅱ
par administrateur le 24-08-23
Bienvenue sur notre site Web pour obtenir des informations et des consultations sur les produits. Notre site Web : https://www.vet-china.com/ Gravure de Poly et SiO2 : Après cela, l'excès de Poly et de SiO2 est gravé, c'est-à-dire éliminé. A l'heure actuelle, une gravure directionnelle est utilisée. Dans le classement...
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Flux de processus des semi-conducteurs
par administrateur le 24-08-23
Vous pouvez le comprendre même si vous n’avez jamais étudié la physique ou les mathématiques, mais c’est un peu trop simple et adapté aux débutants. Si vous souhaitez en savoir plus sur le CMOS, vous devez lire le contenu de ce numéro, car ce n'est qu'après avoir compris le flux du processus (c'est-à-dire...
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Sources de contamination et de nettoyage des plaquettes semi-conductrices
par administrateur le 24-08-13
Certaines substances organiques et inorganiques sont nécessaires pour participer à la fabrication de semi-conducteurs. De plus, comme le processus est toujours réalisé dans une salle blanche avec participation humaine, les plaquettes semi-conductrices sont inévitablement contaminées par diverses impuretés. Accor...
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