GaN en oblea de silicio para RF

VET Energy GaN en Silicon Wafer es una solución semiconductora de vanguardia diseñada específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Al cultivar epitaxialmente nitruro de galio (GaN) de alta calidad sobre un sustrato de silicio, VET Energy ofrece una plataforma rentable y de alto rendimiento para una amplia gama de dispositivos de RF.

Esta oblea de GaN sobre silicio es compatible con otros materiales como oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI y sustrato de SiN, lo que amplía su versatilidad para diversos procesos de fabricación. Además, está optimizado para su uso con Epi Wafer y materiales avanzados como óxido de galio Ga2O3 y AlN Wafer, que mejoran aún más sus aplicaciones en electrónica de alta potencia. Las obleas están diseñadas para una integración perfecta en los sistemas de fabricación mediante el manejo de casetes estándar para facilitar su uso y aumentar la eficiencia de producción.

VET Energy ofrece una cartera completa de sustratos semiconductores, que incluyen oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI, sustrato de SiN, oblea Epi, óxido de galio Ga2O3 y oblea de AlN. Nuestra diversa línea de productos satisface las necesidades de diversas aplicaciones electrónicas, desde electrónica de potencia hasta RF y optoelectrónica.

GaN en Silicon Wafer ofrece varias ventajas para aplicaciones de RF:

       • Rendimiento de alta frecuencia:La amplia banda prohibida y la alta movilidad de electrones de GaN permiten el funcionamiento de alta frecuencia, lo que lo hace ideal para 5G y otros sistemas de comunicación de alta velocidad.
     • Alta densidad de potencia:Los dispositivos GaN pueden manejar densidades de potencia más altas en comparación con los dispositivos tradicionales basados ​​en silicio, lo que genera sistemas de RF más compactos y eficientes.
       • Bajo consumo de energía:Los dispositivos GaN presentan un menor consumo de energía, lo que resulta en una mejor eficiencia energética y una reducción de la disipación de calor.

Aplicaciones:

       • Comunicación inalámbrica 5G:Las obleas de GaN sobre silicio son esenciales para construir estaciones base y dispositivos móviles 5G de alto rendimiento.
     • Sistemas de radar:Los amplificadores de RF basados ​​en GaN se utilizan en sistemas de radar por su alta eficiencia y amplio ancho de banda.
   • Comunicación por satélite:Los dispositivos GaN permiten sistemas de comunicación por satélite de alta potencia y alta frecuencia.
     • Electrónica militar:Los componentes de RF basados ​​en GaN se utilizan en aplicaciones militares, como la guerra electrónica y los sistemas de radar.

VET Energy ofrece obleas de GaN en silicio personalizables para satisfacer sus requisitos específicos, incluidos diferentes niveles de dopaje, espesores y tamaños de obleas. Nuestro equipo de expertos brinda soporte técnico y servicio posventa para garantizar su éxito.