Oblea de SiC semiaislante de 6 pulgadas

Breve descripción:

La oblea semiaislante de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de VET Energy es un sustrato de alta calidad ideal para una amplia gama de aplicaciones de electrónica de potencia. VET Energy emplea técnicas de crecimiento avanzadas para producir obleas de SiC con una calidad de cristal excepcional, baja densidad de defectos y alta resistividad.


Detalle del producto

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La oblea de SiC semiaislante de 6 pulgadas de VET Energy es una solución avanzada para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, que ofrece una conductividad térmica y aislamiento eléctrico superiores. Estas obleas semiaislantes son esenciales en el desarrollo de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de alimentación y otros componentes de alto voltaje. VET Energy garantiza una calidad y un rendimiento constantes, lo que hace que estas obleas sean ideales para una amplia gama de procesos de fabricación de semiconductores.

Además de sus excelentes propiedades aislantes, estas obleas de SiC son compatibles con una variedad de materiales, incluidos Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate y Epi Wafer, lo que las hace versátiles para diferentes tipos de procesos de fabricación. Además, se pueden utilizar materiales avanzados como el óxido de galio Ga2O3 y las obleas de AlN en combinación con estas obleas de SiC, lo que proporciona una flexibilidad aún mayor en dispositivos electrónicos de alta potencia. Las obleas están diseñadas para una integración perfecta con sistemas de manipulación estándar de la industria, como los sistemas Cassette, lo que garantiza la facilidad de uso en entornos de producción en masa.

VET Energy ofrece una cartera completa de sustratos semiconductores, que incluyen oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI, sustrato de SiN, oblea Epi, óxido de galio Ga2O3 y oblea de AlN. Nuestra diversa línea de productos satisface las necesidades de diversas aplicaciones electrónicas, desde electrónica de potencia hasta RF y optoelectrónica.

La oblea de SiC semiaislante de 6 pulgadas ofrece varias ventajas:
Alto voltaje de ruptura: la amplia banda prohibida del SiC permite voltajes de ruptura más altos, lo que permite dispositivos de energía más compactos y eficientes.
Funcionamiento a alta temperatura: la excelente conductividad térmica del SiC permite el funcionamiento a temperaturas más altas, lo que mejora la confiabilidad del dispositivo.
Baja resistencia de encendido: los dispositivos de SiC exhiben una menor resistencia de encendido, lo que reduce las pérdidas de energía y mejora la eficiencia energética.

VET Energy ofrece obleas de SiC personalizables para satisfacer sus requisitos específicos, incluidos diferentes espesores, niveles de dopaje y acabados superficiales. Nuestro equipo de expertos brinda soporte técnico y servicio posventa para garantizar su éxito.

Capítulo 6 -36
Capítulo 6-35

ESPECIFICACIONES DE OBLEAS

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo

8 pulgadas

6 pulgadas

4 pulgadas

notario público

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Deformación (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borde de oblea

biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo

8 pulgadas

6 pulgadas

4 pulgadas

notario público

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabado superficial

Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP

Rugosidad de la superficie

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Cara C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm
Cara C Ra≤0.5nm

Astillas de borde

Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm)

Sangrías

Ninguno permitido

Arañazos (Si-Cara)

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Grietas

Ninguno permitido

Exclusión de borde

3mm

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