Oblea de GaAs de 4 pulgadas

La oblea GaAs de 4 pulgadas de VET Energy es un material esencial para dispositivos optoelectrónicos y de alta velocidad, incluidos amplificadores de RF, LED y células solares. Estas obleas son conocidas por su alta movilidad de electrones y su capacidad para operar a frecuencias más altas, lo que las convierte en un componente clave en aplicaciones de semiconductores avanzadas. VET Energy garantiza obleas de GaAs de alta calidad con espesor uniforme y defectos mínimos, adecuadas para una variedad de procesos de fabricación exigentes.

Estas obleas de GaAs de 4 pulgadas son compatibles con diversos materiales semiconductores, como oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI y sustrato de SiN, lo que las hace versátiles para su integración en diferentes arquitecturas de dispositivos. Ya sea que se utilicen para la producción de Epi Wafer o junto con materiales de vanguardia como óxido de galio Ga2O3 y AlN Wafer, ofrecen una base confiable para la electrónica de próxima generación. Además, las obleas son totalmente compatibles con los sistemas de manipulación basados ​​en casetes, lo que garantiza un funcionamiento fluido tanto en entornos de investigación como de fabricación de gran volumen.

VET Energy ofrece una cartera completa de sustratos semiconductores, que incluyen oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI, sustrato de SiN, oblea Epi, óxido de galio Ga2O3 y oblea de AlN. Nuestra diversa línea de productos satisface las necesidades de diversas aplicaciones electrónicas, desde electrónica de potencia hasta RF y optoelectrónica.

VET Energy ofrece obleas de GaAs personalizables para satisfacer sus requisitos específicos, incluidos diferentes niveles de dopaje, orientaciones y acabados superficiales. Nuestro equipo de expertos brinda soporte técnico y servicio posventa para garantizar su éxito.