Oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC)

La oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) de VET Energy es un material semiconductor de banda prohibida amplia de alto rendimiento con excelentes características de resistencia a altas temperaturas, alta frecuencia y alta potencia. Es un sustrato ideal para la nueva generación de dispositivos electrónicos de potencia. VET Energy utiliza tecnología epitaxial MOCVD avanzada para desarrollar capas epitaxiales de SiC de alta calidad sobre sustratos de SiC, lo que garantiza el excelente rendimiento y consistencia de la oblea.

Nuestra oblea epitaxial de carburo de silicio (SiC) ofrece una excelente compatibilidad con una variedad de materiales semiconductores, incluidos oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI y sustrato de SiN. Con su robusta capa epitaxial, admite procesos avanzados como el crecimiento de Epi Wafer y la integración con materiales como el óxido de galio Ga2O3 y AlN Wafer, lo que garantiza un uso versátil en diferentes tecnologías. Diseñado para ser compatible con los sistemas de manipulación de casetes estándar de la industria, garantiza operaciones eficientes y optimizadas en entornos de fabricación de semiconductores.

La línea de productos de VET Energy no se limita a obleas epitaxiales de SiC. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, incluidos Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Además, también estamos desarrollando activamente nuevos materiales semiconductores de banda ancha, como el óxido de galio Ga2O3 y AlN. Wafer, para satisfacer la futura demanda de dispositivos de mayor rendimiento de la industria de la electrónica de potencia.