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Automatischer Reaktorproduktionsprozess
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. ist ein in China ansässiges Hightech-Unternehmen mit Schwerpunkt auf fortschrittlicher Materialtechnologie und Automobilprodukten. Wir sind ein professioneller Hersteller und Lieferant mit eigener Produktionsstätte und eigenem Vertriebsteam.Mehr lesen -
Zwei elektrische Vakuumpumpen wurden nach Amerika verschifft.
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Graphitfilz wurde nach Vietnam verschifft.
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Eine SiC-oxidationsbeständige Beschichtung wurde mittels CVD-Verfahren auf einer Graphitoberfläche hergestellt.
SiC-Beschichtungen können mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), Vorläuferumwandlung, Plasmaspritzen usw. hergestellt werden. Die durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugte Beschichtung ist gleichmäßig und kompakt und bietet gute Gestaltungsmöglichkeiten. Unter Verwendung von Methyltrichlorsilan (CH₃SiCl₃, MTS) als Siliziumquelle wird die SiC-Beschichtung hergestellt…Mehr lesen -
Siliciumcarbidstruktur
Drei Haupttypen von Siliciumcarbid-Polymorphen. Es gibt etwa 250 kristalline Formen von Siliciumcarbid. Da Siliciumcarbid eine Reihe homogener Polytypen mit ähnlicher Kristallstruktur aufweist, besitzt es die Eigenschaften eines homogenen polykristallinen Materials. Siliciumcarbid (Mosanit)...Mehr lesen -
Forschungsstand zu integrierten SiC-Schaltungen
Im Gegensatz zu diskreten S1C-Bauelementen, die auf hohe Spannungs-, Leistungs-, Frequenz- und Temperaturbeständigkeit ausgelegt sind, liegt das Forschungsziel von SiC-integrierten Schaltungen hauptsächlich in der Entwicklung von Hochtemperatur-Digitalschaltungen für intelligente Leistungs-ICs und deren Steuerschaltungen. SiC-integrierte Schaltungen für...Mehr lesen -
Anwendung von SiC-Bauelementen in Hochtemperaturumgebungen
In der Luft- und Raumfahrt sowie in der Automobilindustrie arbeiten Elektronikkomponenten häufig bei hohen Temperaturen, beispielsweise in Flugzeugtriebwerken, Automotoren, Raumfahrzeugen auf Missionen in Sonnennähe und Hochtemperaturkomponenten in Satelliten. Herkömmliche Silizium- oder Galliumarsenid-Bauelemente werden verwendet, da sie bei sehr hohen Temperaturen nicht funktionieren.Mehr lesen -
Halbleiteroberflächen der dritten Generation – SiC-Bauelemente (Siliziumkarbid) und ihre Anwendungen
Als neuartiges Halbleitermaterial hat sich SiC aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften zum wichtigsten Halbleitermaterial für die Herstellung von kurzwelligen optoelektronischen Bauelementen, Hochtemperaturbauelementen, strahlungsbeständigen Bauelementen und Hochleistungs-/Hochleistungselektronikbauelementen entwickelt.Mehr lesen -
Verwendung von Siliciumcarbid
Siliciumcarbid ist auch als Goldstahlsand oder feuerfester Sand bekannt. Es wird aus Quarzsand, Petrolkoks (oder Steinkohlenkoks), Holzspänen (für die Herstellung von grünem Siliciumcarbid muss Salz zugesetzt werden) und anderen Rohstoffen durch Hochtemperaturschmelzen im Widerstandsofen hergestellt. Derzeit…Mehr lesen
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