Auf der Graphitoberfläche wurde durch CVD-Verfahren eine oxidationsbeständige SiC-Beschichtung hergestellt

Eine SiC-Beschichtung kann durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Vorläuferumwandlung, Plasmaspritzen usw. hergestellt werden. Die durch CHEMISCHE Gasphasenabscheidung hergestellte Beschichtung ist gleichmäßig und kompakt und lässt sich gut gestalten. Verwendung von Methyltrichlorsilan. (CHzSiCl3, MTS) als Siliziumquelle, eine durch CVD-Methode hergestellte SiC-Beschichtung ist eine relativ ausgereifte Methode zum Aufbringen dieser Beschichtung.
SiC-Beschichtung und Graphit weisen eine gute chemische Kompatibilität auf, der Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen ihnen ist gering, und die Verwendung einer SiC-Beschichtung kann die Verschleißfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit von Graphitmaterial effektiv verbessern. Unter diesen haben das stöchiometrische Verhältnis, die Reaktionstemperatur, das Verdünnungsgas, das Verunreinigungsgas und andere Bedingungen großen Einfluss auf die Reaktion.