SiC-Beschichtungen können mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), Vorläuferumwandlung, Plasmaspritzen usw. hergestellt werden. Die durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugte Beschichtung ist gleichmäßig und kompakt und bietet gute Gestaltungsmöglichkeiten. Unter Verwendung von Methyltrichlorsilan (CH₃SiCl₃, MTS) als Siliziumquelle ist die CVD-Beschichtung ein relativ ausgereiftes Verfahren für die Anwendung dieser Beschichtung.
SiC-Beschichtung und Graphit weisen eine gute chemische Kompatibilität auf, der Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten ist gering. Durch die Verwendung einer SiC-Beschichtung lassen sich die Verschleiß- und Oxidationsbeständigkeit von Graphitmaterialien effektiv verbessern. Das stöchiometrische Verhältnis, die Reaktionstemperatur, das Verdünnungsgas, Verunreinigungen und weitere Bedingungen haben einen großen Einfluss auf die Reaktion.
Veröffentlichungsdatum: 14. September 2022