Zprávy

Úvod do třetí generace polovodičů GaN a související epitaxní technologie
od admina dne 24-06-25
1. Polovodiče třetí generace Polovodičová technologie první generace byla vyvinuta na základě polovodičových materiálů jako Si a Ge. Je materiálovým základem pro vývoj tranzistorů a technologie integrovaných obvodů. Polovodičové materiály první generace položily f...
Přečtěte si více
Numerická simulační studie vlivu porézního grafitu na růst krystalů karbidu křemíku
od admina dne 24-06-18
Základní proces růstu krystalů SiC se dělí na sublimaci a rozklad surovin při vysoké teplotě, transport látek v plynné fázi působením teplotního gradientu a rekrystalizační růst látek v plynné fázi na zárodečném krystalu. Na základě toho se...
Přečtěte si více
Druhy speciálního grafitu
od admina dne 24-06-17
Speciální grafit je grafitový materiál s vysokou čistotou, vysokou hustotou a vysokou pevností a má vynikající odolnost proti korozi, vysokou teplotní stabilitu a velkou elektrickou vodivost. Je vyroben z přírodního nebo umělého grafitu po vysokoteplotním tepelném zpracování a vysokotlakém zpracování...
Přečtěte si více
Analýza zařízení pro depozici tenkých vrstev – principy a aplikace zařízení PECVD/LPCVD/ALD
od admina dne 24-06-12
Depozice tenkého filmu je potažení vrstvy filmu na hlavním substrátovém materiálu polovodiče. Tato fólie může být vyrobena z různých materiálů, jako je izolační sloučenina oxidu křemičitého, polovodičový polysilikon, kovová měď atd. Zařízení používané pro povlakování se nazývá depozice tenkých vrstev...
Přečtěte si více
Důležité materiály, které určují kvalitu růstu monokrystalického křemíku – tepelné pole
od admina dne 24-06-12
Proces růstu monokrystalického křemíku se kompletně provádí v tepelném poli. Dobré tepelné pole přispívá ke zlepšení kvality krystalů a má vyšší účinnost krystalizace. Návrh tepelného pole do značné míry určuje změny teplotních gradientů...
Přečtěte si více
Jaké jsou technické potíže pece pro růst krystalů karbidu křemíku?
od admina dne 24-06-07
Pec pro růst krystalů je základním zařízením pro růst krystalů karbidu křemíku. Je to podobné jako u tradiční pece pro růst krystalů krystalického křemíku. Konstrukce pece není příliš složitá. Skládá se hlavně z tělesa pece, topného systému, mechanismu přenosu cívky...
Přečtěte si více
Jaké jsou defekty epitaxní vrstvy karbidu křemíku
od admina dne 24-06-05
Stěžejní technologií pro růst SiC epitaxních materiálů je za prvé technologie kontroly defektů, zejména technologie kontroly defektů, která je náchylná k selhání zařízení nebo ke snížení spolehlivosti. Studium mechanismu defektů substrátu zasahujících do epi...
Přečtěte si více
Technologie oxidovaného stojatého zrna a epitaxního růstu-Ⅱ
od admina dne 24-05-30
3. Epitaxní růst tenkého filmu Substrát poskytuje fyzickou nosnou vrstvu nebo vodivou vrstvu pro napájecí zařízení Ga2O3. Další důležitou vrstvou je kanálová vrstva nebo epitaxní vrstva používaná pro napěťový odpor a transport nosiče. Pro zvýšení průrazného napětí a minimalizaci vedení...
Přečtěte si více
Technologie monokrystalu oxidu galia a epitaxního růstu
od admina dne 24-05-30
Široké pozornosti se dostalo polovodičům se širokým pásmem (WBG) reprezentovaným karbidem křemíku (SiC) a nitridem galia (GaN). Lidé mají velká očekávání ohledně vyhlídek na uplatnění karbidu křemíku v elektrických vozidlech a energetických sítích, stejně jako na vyhlídky na uplatnění gallia...
Přečtěte si více