Buben Halfmoon s povlakem SiC používaný v epitaxním zařízení SiC

Krátký popis:

Představení a použití produktu: Připojená křemenná trubice, může procházet plynem pro řízení rotace základny podnosu, regulace teploty

Umístění produktu: v reakční komoře, není v přímém kontaktu s plátkem

Hlavní následné produkty: napájecí zařízení

Hlavní trh terminálů: nová energetická vozidla

Pošlete nám e-mail Stáhnout jako PDF

Detail produktu

Štítky produktu

Grafitová půlměsícová část potažená SiCis a klíčsoučást používaná v procesech výroby polovodičů, zejména pro epitaxní zařízení SiC.K výrobě půlměsícové části používáme naši patentovanou technologiiextrémně vysoká čistota,dobrýpovlakjednotnosta vynikající životnost, stejně jakovysoká chemická odolnost a tepelná stabilita.

VET Energy je askutečný výrobce přizpůsobených produktů z grafitu a karbidu křemíku s CVD povlakem,může dodatrůznézakázkové díly pro polovodičový a fotovoltaický průmysl. Ováš technický tým pochází ze špičkových domácích výzkumných institucí, může poskytnout profesionálnější materiálová řešenípro vás.

Neustále vyvíjíme pokročilé procesy, abychom poskytovali pokročilejší materiály,avyvinuli exkluzivní patentovanou technologii, díky které je spojení mezi povlakem a substrátem těsnější a méně náchylné k odlepení.

Fvlastnosti našich produktů:

1. Vysoká teplotní odolnost proti oxidaci až do 1700℃.
2. Vysoká čistota atepelná rovnoměrnost
3. Vynikající odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.
4. Vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.
5. Delší životnost a odolnější

CVD SiC薄膜基本物理性能 Základní fyzikální vlastnosti CVD SiCpovlak
性质 / Nemovitosti	典型数值 / Typická hodnota
晶体结构 / Krystalová struktura	FCC β fáze多晶，主要为（111）取向
密度 / Hustota	3,21 g/cm³
硬度 / Tvrdost	2500 维氏硬度（500g náplň）
晶粒大小 / Velikost zrna	2~10μm
纯度 / Chemická čistota	99,99995 %
热容 / Tepelná kapacita	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Teplota sublimace	2700 ℃
抗弯强度 / Pevnost v ohybu	415 MPa RT 4-bod
杨氏模量 / Youngův modul	Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / ThermalVodivost	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Tepelná expanze (CTE)	4,5×10^-6K^-1