4palcový GaAs Wafer od VET Energy je základním materiálem pro vysokorychlostní a optoelektronická zařízení, včetně RF zesilovačů, LED a solárních článků. Tyto destičky jsou známé svou vysokou mobilitou elektronů a schopností pracovat na vyšších frekvencích, což z nich dělá klíčovou součást pokročilých polovodičových aplikací. VET Energy zajišťuje špičkovou kvalitu GaAs waferů s rovnoměrnou tloušťkou a minimálními defekty, vhodné pro řadu náročných výrobních procesů.
Tyto 4palcové wafery GaAs jsou kompatibilní s různými polovodičovými materiály, jako jsou Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer a SiN Substrate, díky čemuž jsou všestranné pro integraci do různých architektur zařízení. Ať už jsou použity pro výrobu Epi Wafer nebo spolu se špičkovými materiály jako Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer, nabízejí spolehlivý základ pro elektroniku nové generace. Kromě toho jsou destičky plně kompatibilní s manipulačními systémy na bázi kazet, což zajišťuje hladký provoz jak ve výzkumu, tak v prostředí velkoobjemové výroby.
VET Energy nabízí komplexní portfolio polovodičových substrátů, včetně Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Naše rozmanitá produktová řada vychází vstříc potřebám různých elektronických aplikací, od výkonové elektroniky po RF a optoelektroniku.
VET Energy nabízí přizpůsobitelné plátky GaAs, které splňují vaše specifické požadavky, včetně různých úrovní dopingu, orientace a povrchových úprav. Náš tým odborníků poskytuje technickou podporu a poprodejní servis, aby byl zajištěn váš úspěch.
SPECIFIKACE WAFEROVÁNÍ
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow(GF3YFCD) - Absolutní hodnota | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Okraj oplatky | Zkosení |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Oboustranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnost povrchu | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Hranové čipy | Není povoleno (délka a šířka ≥0,5 mm) | ||||
Odrážky | Žádné Povoleno | ||||
Škrábance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | ||
Trhliny | Žádné Povoleno | ||||
Vyloučení okrajů | 3 mm |