6palcový Semi Insulating SiC Wafer od VET Energy je pokročilé řešení pro vysokovýkonové a vysokofrekvenční aplikace, které nabízí vynikající tepelnou vodivost a elektrickou izolaci. Tyto poloizolační desky jsou nezbytné při vývoji zařízení, jako jsou RF zesilovače, výkonové spínače a další vysokonapěťové komponenty. VET Energy zajišťuje konzistentní kvalitu a výkon, díky čemuž jsou tyto destičky ideální pro širokou škálu procesů výroby polovodičů.
Kromě svých vynikajících izolačních vlastností jsou tyto SiC destičky kompatibilní s řadou materiálů včetně Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate a Epi Wafer, díky čemuž jsou univerzální pro různé typy výrobních procesů. Kromě toho lze v kombinaci s těmito SiC destičkami použít pokročilé materiály, jako je oxid galia Ga2O3 a AlN Wafer, což poskytuje ještě větší flexibilitu ve vysoce výkonných elektronických zařízeních. Plátky jsou navrženy pro bezproblémovou integraci s průmyslovými standardními manipulačními systémy, jako jsou kazetové systémy, což zajišťuje snadné použití v nastaveních hromadné výroby.
VET Energy nabízí komplexní portfolio polovodičových substrátů, včetně Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Naše rozmanitá produktová řada vychází vstříc potřebám různých elektronických aplikací, od výkonové elektroniky po RF a optoelektroniku.
6palcový poloizolační plát SiC nabízí několik výhod:
Vysoké průrazné napětí: Široká šířka pásma SiC umožňuje vyšší průrazné napětí, což umožňuje kompaktnější a účinnější napájecí zařízení.
Vysokoteplotní provoz: Vynikající tepelná vodivost SiC umožňuje provoz při vyšších teplotách a zlepšuje spolehlivost zařízení.
Nízký odpor při zapnutí: Zařízení SiC vykazují nižší odpor při zapnutí, což snižuje ztráty energie a zlepšuje energetickou účinnost.
VET Energy nabízí přizpůsobitelné destičky SiC, které splňují vaše specifické požadavky, včetně různých tlouštěk, úrovní dopingu a povrchových úprav. Náš tým odborníků poskytuje technickou podporu a poprodejní servis, aby byl zajištěn váš úspěch.
SPECIFIKACE WAFEROVÁNÍ
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow(GF3YFCD) - Absolutní hodnota | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Okraj oplatky | Zkosení |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Oboustranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnost povrchu | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Hranové čipy | Není povoleno (délka a šířka ≥0,5 mm) | ||||
Odrážky | Žádné Povoleno | ||||
Škrábance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | ||
Trhliny | Žádné Povoleno | ||||
Vyloučení okrajů | 3 mm |