12palcový Silicon Wafer for Semiconductor Fabrication nabízený společností VET Energy je navržen tak, aby splňoval přesné standardy požadované v polovodičovém průmyslu. Jako jeden z předních produktů v naší řadě VET Energy zajišťuje, že tyto wafery jsou vyráběny s přesnou rovinností, čistotou a kvalitou povrchu, díky čemuž jsou ideální pro špičkové polovodičové aplikace, včetně mikročipů, senzorů a pokročilých elektronických zařízení.
Tento wafer je kompatibilní se širokou škálou materiálů, jako je Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate a Epi Wafer, což poskytuje vynikající všestrannost pro různé výrobní procesy. Navíc se dobře spáruje s pokročilými technologiemi, jako je Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer, což zajišťuje, že jej lze integrovat do vysoce specializovaných aplikací. Pro hladký provoz je wafer optimalizován pro použití s průmyslovými standardními kazetovými systémy, což zajišťuje efektivní manipulaci při výrobě polovodičů.
Produktová řada VET Energy není omezena na křemíkové destičky. Poskytujeme také širokou škálu polovodičových substrátových materiálů, včetně SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, atd., stejně jako nové polovodičové materiály s širokým bandgapem, jako je Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Tyto produkty mohou uspokojit aplikační potřeby různých zákazníků v oblasti výkonové elektroniky, radiofrekvence, senzorů a dalších oborů.
Oblasti použití:
•Logické čipy:Výroba vysoce výkonných logických čipů, jako jsou CPU a GPU.
•Paměťové čipy:Výroba paměťových čipů jako DRAM a NAND Flash.
•Analogové čipy:Výroba analogových čipů jako ADC a DAC.
•Senzory:MEMS senzory, obrazové senzory atd.
VET Energy poskytuje zákazníkům přizpůsobená řešení waferů a může přizpůsobit wafery s různým odporem, různým obsahem kyslíku, různou tloušťkou a dalšími specifikacemi podle specifických potřeb zákazníků. Kromě toho také poskytujeme profesionální technickou podporu a poprodejní servis, abychom zákazníkům pomohli optimalizovat výrobní procesy a zlepšit výtěžnost produktů.
SPECIFIKACE WAFEROVÁNÍ
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow(GF3YFCD) - Absolutní hodnota | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Okraj oplatky | Zkosení |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Oboustranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnost povrchu | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Hranové čipy | Není povoleno (délka a šířka ≥0,5 mm) | ||||
Odrážky | Žádné Povoleno | ||||
Škrábance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | ||
Trhliny | Žádné Povoleno | ||||
Vyloučení okrajů | 3 mm |