Графитна полумесечна част с покритие от SiC за епитаксиално оборудване от силициев карбид

SiC покрита графитна част Halfmoonis a ключкомпонент, използван в процесите на производство на полупроводници, особено за SiC епитаксиално оборудване.Ние използваме нашата патентована технология, за да направим частта на полумесецаизключително висока чистота,добрепокритиееднаквости отличен експлоатационен живот, както ивисока химическа устойчивост и термична стабилност.

ПОО Енергия е наистински производител на персонализирани продукти от графит и силициев карбид с CVD покритие,може да доставиразличниперсонализирани части за полупроводникова и фотоволтаична индустрия. OВашият технически екип идва от водещи местни изследователски институции, може да предостави по-професионални материални решенияза вас.

Ние непрекъснато разработваме усъвършенствани процеси, за да осигурим по-модерни материали,иса разработили изключителна патентована технология, която може да направи връзката между покритието и субстрата по-плътна и по-малко податлива на отделяне.

Fхарактеристики на нашите продукти:

1. Устойчивост на окисление при висока температура до 1700℃.
2. Висока чистота итоплинна еднородност
3. Отлична устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.
4. Висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.
5. По-дълъг експлоатационен живот и по-издръжлив

Горещо ви приветстваме да посетите нашата фабрика, нека да обсъдим допълнително!