CVD-SiCпокриття має характеристики однорідної структури, компактного матеріалу, стійкості до високих температур, стійкості до окислення, високої чистоти, стійкості до кислот і лугів та органічних реагентів, зі стабільними фізичними та хімічними властивостями.

Порівняно з графітовими матеріалами високої чистоти, графіт починає окислюватися при 400C, що спричинить втрату порошку через окислення, що призведе до забруднення навколишнього середовища периферійних пристроїв і вакуумних камер і збільшення домішок у середовищі високої чистоти.

Однак покриття SiC може зберігати фізичну та хімічну стабільність при 1600 градусах. Воно широко використовується в сучасній промисловості, особливо в напівпровідниковій промисловості.

Наша компанія надає послуги з обробки покриття SiC методом CVD на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, вступають у реакцію при високій температурі з отриманням високочистих молекул SiC, молекул, нанесених на поверхню покритих матеріалів, формування SIC захисного шару. Утворений SIC міцно зв’язаний з графітовою основою, що надає графітовій основі особливі властивості, таким чином роблячи поверхню графіту компактною, безпористою, високотемпературною, корозійною та стійкою до окислення.

Основні особливості:

1. Стійкість до високотемпературного окислення:

Стійкість до окислення все ще дуже висока, коли температура досягає 1600 C.

2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.

3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.

4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.

Основні характеристики CVD-SIC покриттів: