Графітова частина півмісяця з покриттям SiCis a ключкомпонент, що використовується в процесах виробництва напівпровідників, особливо для епітаксійного обладнання SiC.Ми використовуємо нашу запатентовану технологію для виготовлення півмісяцянадзвичайно висока чистота,добрепокриттярівномірністьі відмінний термін служби, а такожвисока хімічна стійкість і термостабільність.
ПТО Енергія є всправжній виробник індивідуальних виробів із графіту та карбіду кремнію з покриттям CVD,може постачатирізнііндивідуальні частини для напівпровідникової та фотоелектричної промисловості. OНаша технічна команда походить від провідних вітчизняних науково-дослідних установ, може надати більш професійні матеріальні рішеннядля вас.
Ми постійно розробляємо передові процеси, щоб забезпечити більш досконалі матеріали,ірозробили ексклюзивну запатентовану технологію, яка може зробити з’єднання між покриттям і основою більш міцним і менш схильним до відшарування.
Fособливості нашої продукції:
1. Стійкість до високотемпературного окислення до 1700℃.
2. Висока чистота ітеплова однорідність
3. Чудова стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.
4. Висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.
5. Довший термін служби та міцніший
| ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основні фізичні властивості CVD SiCпокриття | |
| 性质 / Власність | 典型数值 / Типове значення |
| 晶体结构 / Кристалічна структура | FCC β фаза多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Щільність | 3,21 г/см³ |
| 硬度 / Твердість | 2500 维氏硬度 (завантаження 500 г) |
| 晶粒大小 / Розмір зерна | 2~10 мкм |
| 纯度 / Хімічна чистота | 99,99995% |
| 热容 / Теплоємність | 640 Дж·кг-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура сублімації | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Міцність на вигин | 415 МПа RT 4-точковий |
| 杨氏模量 / Модуль Юнга | 430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Термалпровідність | 300 Вт·м-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / Теплове розширення (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Щиро вітаємо вас відвідати нашу фабрику, давайте обговоримо далі!
