Яңалыклар

Кремний карбидына техник киртәләр нинди? Ⅱ
администратор тарафыннан 24-05-22
Тотрыклы масса җитештерә торган югары сыйфатлы кремний карбид ваферларында техник кыенлыклар түбәндәгеләрне үз эченә ала: 1) кристалллар 2000 ° C-тан югары температурада мөһерләнгән шартларда үсәргә тиеш, температураны контрольдә тоту таләпләре бик югары; 2) Кремний карбид күбрәк булганга ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбидына техник киртәләр нинди?
администратор тарафыннан 24-05-22
Ярымүткәргеч материалларның беренче буыны традицион кремний (Si) һәм германий (Ge) белән күрсәтелә, алар интеграль челтәр җитештерү өчен нигез булып торалар. Алар аз көчәнешле, аз ешлыктагы һәм аз көчле транзисторларда һәм детекторларда киң кулланыла. Ярымүткәргеч продуктның 90% тан артыгы ...
Күбрәк укыгыз
SiC микро порошогы ничек ясалган?
администратор тарафыннан 24-05-13
SiC бер кристалл - группа IV-IV катнаш ярымүткәргеч материал, Si һәм C ике элементтан тора, стохиометрик нисбәттә 1: 1. Аның катылыгы бриллианттан соң икенче урында. SiC әзерләү өчен кремний оксиды ысулының углерод кимүе нигездә түбәндәге химик реакция формуласына нигезләнә ...
Күбрәк укыгыз
Эпитаксиаль катламнар ярымүткәргеч җайланмаларга ничек ярдәм итә?
администратор тарафыннан 24-05-13
Эпитаксиаль вафер исеменең килеп чыгышы Беренчедән, кечкенә төшенчәне популярлаштырыйк: вафер әзерләү ике төп сылтаманы үз эченә ала: субстрат әзерләү һәм эпитаксиаль процесс. Субстрат - ярымүткәргеч бер кристалл материалдан эшләнгән вафер. Субстрат вафер җитештерүгә турыдан-туры керә ала ...
Күбрәк укыгыз
Химик пар парламенты (CVD) нечкә пленка чүпләү технологиясе белән таныштыру
администратор тарафыннан 24-05-06
Химик парны чүпләү (CVD) - мөһим нечкә пленка туплау технологиясе, еш төрле функциональ фильмнар һәм нечкә катлам материаллар әзерләү өчен кулланыла, һәм ярымүткәргеч җитештерүдә һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла. 1. CVD эш принцибы CVD процессында газ прекурсоры (бер яки мо ...
Күбрәк укыгыз
Фотовольта ярымүткәргеч индустриясе артындагы "кара алтын" сере: изостатик графитка теләк һәм бәйләнеш
администратор тарафыннан 24-05-06
Изостатик графит фотовольта һәм ярымүткәргечләрдә бик мөһим материал. Эчке изостатик графит компанияләренең тиз үсүе белән, Кытайдагы чит ил компанияләренең монополиясе бозылды. Даими мөстәкыйль тикшеренүләр, үсеш һәм технологик казанышлар белән, ...
Күбрәк укыгыз
Ярымүткәргеч керамика җитештерүдә графит көймәләренең төп характеристикаларын ачу
администратор тарафыннан 24-04-22
Графит көймәләр, шулай ук графит көймәләр дип атала, ярымүткәргеч керамика җитештерүнең катлаулы процессларында мөһим роль уйный. Бу махсуслаштырылган суднолар югары үткәргеч эшкәртү вакытында ярымүткәргеч ваферлар өчен ышанычлы йөртүче булып хезмәт итәләр, төгәл һәм контроль эшкәртүне тәэмин итәләр. Белән ...
Күбрәк укыгыз
Мич трубасы җиһазларының эчке төзелеше җентекләп аңлатыла
администратор тарафыннан 24-04-22
Aboveгарыда күрсәтелгәнчә, типик Беренче ярты: atingылыту элементы (җылыту кәтүге): мич трубасы тирәсендә урнашкан, гадәттә каршылык чыбыкларыннан, мич торбасының эчләрен җылыту өчен кулланыла. Кварц трубасы: кайнар оксидлашу миченең үзәге, югары чисталыклы кварцтан ясалган, югарыга каршы тора ала ...
Күбрәк укыгыз
SiC субстратының һәм эпитаксиаль материалларның MOSFET җайланмасы үзенчәлекләренә тәэсире
администратор тарафыннан 24-04-16
Өчпочмак җитешсезлеге Өчпочмак җитешсезлекләре SiC эпитаксиаль катламнарындагы иң үлемгә китерүче морфологик кимчелекләр. Күп санлы әдәбият докладлары күрсәткәнчә, өчпочмак җитешсезлекләренең формалашуы 3C кристалл формасы белән бәйле. Ләкин, төрле үсеш механизмнары аркасында, күп морфология ...
Күбрәк укыгыз