Ваферкисү - электр ярымүткәргеч җитештерүдә мөһим бәйләнешләрнең берсе. Бу адым ярымүткәргеч вафлардан аерым интеграль схемаларны яки чипларны төгәл аеру өчен эшләнгән.
Ачкычваферкисү - индивидуаль чипларны аера белү, шул ук вакытта урнаштырылган нечкә структуралар һәм схемаларвафербозылмаган. Кисү процессының уңышы яки уңышсызлыгы чипның аерылу сыйфаты һәм уңышына тәэсир итми, шулай ук бөтен җитештерү процессының эффективлыгы белән турыдан-туры бәйле.
Wa Вафер кисүнең өч киң таралган төре | Чыганак: КЛА КЫНА
Хәзерге вакытта гомумиваферкисү процесслары:
Пычак кисү: аз бәя, гадәттә калынрак кулланылаваферлар
Лазер кисү: югары бәя, калынлыгы 30μмнан артык булган ваферлар өчен кулланыла
Плазманы кисү: югары бәя, чикләүләр, гадәттә калынлыгы 30μмнан ким булган ваферлар өчен кулланыла
Механик пычак кисү
Пычак кисү - югары тизлекле әйләнүче тарткыч диск (плитка) белән язучының сызыгы буенча кисү процессы. Пычак гадәттә абразив яки ультра-нечкә бриллиант материалдан эшләнгән, кремний вафаларда кисү яки ябыштыру өчен яраклы. Ләкин, механик кисү ысулы буларак, пычак кисү физик материалны чыгаруга таяна, бу чип читенең чипләнүенә яки ярылуына китерә, шулай итеп продуктның сыйфатын тәэсир итә һәм уңышны киметә.
Механик кисү процессында җитештерелгән соңгы продуктның сыйфаты берничә параметрга тәэсир итә, шул исәптән кисү тизлеге, калынлык калынлыгы, пычак диаметры һәм пычак әйләнү тизлеге.
Тулы кисү - иң төп пычак кисү ысулы, ул төп материалны (кисү тасмасы кебек) кисеп эш кисәген тулысынча кисә.
Chan Механик пычак кисү тулы кисү | Рәсем чыганагы челтәре
Ярты кисү - эшкәртү ысулы, эш өлешенең уртасына кисеп трюк чыгара. Гривинг процессын өзлексез башкарып, тарак һәм энә формасындагы нокталар чыгарылырга мөмкин.
▲ Механик пычак кисү ярты кисү | Рәсем чыганагы челтәре
Ике кат кисү - эшкәртү ысулы, бер үк вакытта ике җитештерү линиясендә тулы яки ярты кисүне башкару өчен, ике шакмак белән икеләтә кисү куллана. Ике тапкыр киселгән араның ике шакмак балтасы бар. Processгары үткәрү бу процесс ярдәмендә ирешеп була.
Chan Механик пычак кисү - икеләтә кисү | Рәсем чыганагы челтәре
Адым кисү ике этапта тулы һәм ярты кисүне башкару өчен, ике шакмак белән икеләтә кисү пыяла куллана. Вафер өслегендә чыбык катламын кисү өчен оптимальләштерелгән плиталарны кулланыгыз, югары сыйфатлы эшкәртүгә ирешү өчен калган кремний кристалл өчен оптимальләштерелгән плиталар кулланыгыз.
Chan Механик пычак кисү - адым кисү | Рәсем чыганагы челтәре
Бевел кисү - эшкәртү ысулы, V кисемтәсе белән ярым киселгән кырда плитаны куллана, адым кисү процессында ваферны ике этапта кисәр өчен. Чакыру процессы кисү процессында башкарыла. Шуңа күрә югары форма көче һәм югары сыйфатлы эшкәртүгә ирешеп була.
Chan Механик пычак кисү - бевел кисү | Рәсем чыганагы челтәре
Лазер кисү
Лазер кисү - контактсыз вафер кисү технологиясе, ул ярымүткәргеч вафалардан аерым чипларны аеру өчен тупланган лазер нурын куллана. Energyгары энергияле лазер нуры вафин өслегенә юнәлтелгән һәм абляция яки җылылык таркалу процесслары аша алдан билгеләнгән кисү сызыгы буенча материалны парга әйләндерә яки бетерә.
▲ Лазер кисү схемасы | Рәсем чыганагы: КЛА КЫНА
Хәзерге вакытта киң кулланылган лазер төрләренә ультрафиолет лазерлары, инфракызыл лазерлар һәм фемтосекунд лазерлар керә. Алар арасында ультрафиолет лазерлары еш фотон энергиясе аркасында төгәл салкын абляция өчен кулланыла, һәм җылылыкка тәэсир итүче зона бик кечкенә, бу вафинга һәм аның тирәсендәге чипларга җылылык зыянын киметә ала. Инфракызыл лазерлар калын ваферлар өчен яхшырак, чөнки алар материалга тирән үтеп керә ала. Фемтосекунд лазерлары югары төгәллек һәм эффектив материалны УЗИ яктылык импульслары аша җылылык үткәрү белән диярлек бетерәләр.
Лазер кисү традицион пычак кисүгә караганда зур өстенлекләргә ия. Беренчедән, контактсыз процесс буларак, лазер кисү вафинга физик басым таләп итми, фрагментлашуны киметә һәм механик кисүдә киң таралган проблемаларны чишә. Бу үзенчәлек лазер кисүне аеруча зәгыйфь яки ультра-нечкә ваферларны эшкәртү өчен аеруча яраклы итә, аеруча катлаулы структуралары яки яхшы үзенчәлекләре булганнар.
▲ Лазер кисү схемасы | Рәсем чыганагы челтәре
Моннан тыш, лазер кисүнең югары төгәллеге һәм төгәллеге аңа лазер нурын бик кечкенә ноктага юнәлтергә, катлаулы кисү үрнәкләренә булышырга һәм чиплар арасында минималь араны аерырга ирешергә мөмкинлек бирә. Бу үзенчәлек зурайган ярымүткәргеч җайланмалар өчен аеруча мөһим.
Ләкин, лазер кисүнең кайбер чикләүләре дә бар. Пычак кисү белән чагыштырганда, ул әкренрәк һәм кыйммәтрәк, аеруча зур күләмдә җитештерүдә. Моннан тыш, дөрес лазер төрен сайлау һәм материалны эффектив бетерүне һәм минималь җылылык тәэсир иткән зонаны тәэмин итү өчен параметрларны оптимальләштерү кайбер материаллар һәм калынлыклар өчен авыр булырга мөмкин.
Лазерлы абляция кисү
Лазер абласын кисү вакытында, лазер нуры төгәл вафер өслегендә билгеләнгән урынга юнәлтелгән, һәм лазер энергиясе алдан билгеләнгән кисү үрнәге буенча алып барыла, әкренләп вафер аша аска киселә. Кисү таләпләренә карап, бу операция импульслы лазер яки өзлексез дулкын лазеры ярдәмендә башкарыла. Лазерны артык җирле җылыту аркасында ваферга зыян китермәсен өчен, суыту суы суыту һәм вальны җылылык зыяныннан саклау өчен кулланыла. Шул ук вакытта суыту суы кисү процессында барлыкка килгән кисәкчәләрне эффектив рәвештә бетерә, пычранудан саклый һәм кисү сыйфатын тәэмин итә ала.
Лазер күренми торган кисү
Лазер шулай ук җылылыкны вафинның төп тәненә күчерергә мөмкин, бу "күренми торган лазер кисү" ысулы. Бу ысул өчен лазердан алынган җылылык язучы полосаларында бушлыклар тудыра. Бу зәгыйфьләнгән урыннар, вафер сузылганда өзеп, шундый ук үтеп керү эффектына ирешәләр.
Laz Лазерның күренми торган кисү процессы
Күренми торган кисү процессы - лазер өслегенә сеңгән лазер абласы түгел, ә эчке үзләштерү лазер процессы. Күренми торган кисү белән, дулкын озынлыгы белән лазер нуры энергиясе кулланыла, вафер субстрат материалына ярым үтә күренмәле. Процесс ике төп этапка бүленә, берсе - лазерга нигезләнгән процесс, икенчесе - механик аеру процессы.
Laser Лазер нуры вафер өслегендә тишек ясый, һәм алгы һәм арткы яклар тәэсир итми | Рәсем чыганагы челтәре
Беренче адымда, лазер нуры ваферны сканерләгәндә, лазер нуры вафер эчендәге билгеле бер ноктага юнәлтелә, эчендә ярылу ноктасы барлыкка килә. Кояш энергиясе эчендә ярыклар барлыкка килүенә китерә, алар вафинның бөтен калынлыгы аша өске һәм аскы өслекләргә кадәр сузылмаган.
100 100 мм калынлыктагы кремний ваферларны пычак ысулы һәм лазерның күренми торган кисү ысулы белән чагыштыру | Рәсем чыганагы челтәре
Икенче адымда, вафер төбендәге чип тасмасы физик яктан киңәйтелә, бу вафер эчендәге ярыкларда киеренкелек стрессына китерә, беренче адымда лазер процессында. Бу стресс ярыкларның вертикаль өске һәм аскы өслекләренә вертикаль сузылуына китерә, аннары ваферны бу кисү нокталары буенча чипларга аера. Күренми торган кисүдә, ярты кисү яки аскы ягы ярты кисү гадәттә ваферларны чипларга яки чипларга аеруны җиңеләйтү өчен кулланыла.
Күренми торган лазер кисүнең төп өстенлекләре:
• Суыткыч кирәк түгел
• Чүп-чар барлыкка килми
• heatылылыкка тәэсир итүче зоналар юк, сизгер схемаларга зыян китерә ала
Плазма кисү
Плазманы кисү (шулай ук плазманы эфирлау яки коры эфирлау дип тә атала) - алдынгы вафер кисү технологиясе, реактив ион эфиры (RIE) яки тирән реактив ион эфиры (DRIE) ярымүткәргеч ваферлардан аеру өчен. Технология плазманы кулланып алдан билгеләнгән кисү линиясе буенча материалны химик рәвештә чыгарып кисүгә ирешә.
Плазманы кисү процессында ярымүткәргеч вафу вакуум камерасына урнаштырыла, палатага контроль реактив газ катнашмасы кертелә, һәм реактив ион һәм радикалларның югары концентрациясе булган плазманы барлыкка китерү өчен электр кыры кулланыла. Бу реактив төрләр вафер материалы белән үзара бәйләнештә торалар, химик реакция һәм физик бөтерелү комбинациясе аша язучы сызыгы буенча вафин материалны сайлап алалар.
Плазманы кисүнең төп өстенлеге шунда: ул вафердагы һәм чиптагы механик стрессны киметә һәм физик контакт аркасында килеп чыккан зыянны киметә. Ләкин, бу процесс башка ысулларга караганда катлаулырак һәм күп вакыт таләп итә, аеруча калын вафер яки материаллар белән эш иткәндә, шуңа күрә аны массакүләм җитештерүдә куллану чикләнгән.
▲ Рәсем чыганагы челтәре
Ярымүткәргеч җитештерүдә ваферны кисү ысулы күп факторларга нигезләнеп сайланырга тиеш, шул исәптән вафер материалы, чип зурлыгы һәм геометрия, төгәллек һәм төгәллек, гомуми җитештерү бәясе һәм эффективлык.
Пост вакыты: 20-2024 сентябрь