A ваферчын ярымүткәргеч чип булыр өчен өч үзгәреш кичерергә туры килә: беренчедән, блок формасындагы ингот ваферларга киселә; икенче процесста транзисторлар вафинның алгы өлешенә алдагы процесс аша язылган; ниһаять, упаковка башкарыла, ягъни кисү процессы ашавафертулы ярымүткәргеч чипка әйләнә. Күрергә була, төрү процессы арткы процесска карый. Бу процесста вафер берничә гекседрон индивидуаль чипка бүленәчәк. Бәйсез чиплар алу процессы "Сингуляция" дип атала, һәм вафер тактасын мөстәкыйль кубоидларга күрү процессы "вафер кисү (Die Sawing)" дип атала. Күптән түгел, ярымүткәргеч интеграциясен яхшырту белән, калынлыгываферларнечкә һәм нечкә булды, бу, әлбәттә, “ялгызлык” процессына күп кыенлыклар китерә.
Вафер бәяләү эволюциясе
Алгы һәм арткы процесслар үзара бәйләнеш аша төрлечә үсеш алды: арткы процессларның эволюциясе гекседронның кечкенә чипларының структурасын һәм торышын билгели ала.вафер, шулай ук вагондагы такталарның структурасы һәм торышы (электр тоташу юллары); киресенчә, алгы процессларның эволюциясе процессны һәм ысулны үзгәрттеваферарткы нечкәлек һәм арткы процесста "үлеп бәяләү". Шуңа күрә, пакетның көннән-көн катлаулануы тышкы процесска зур йогынты ясаячак. Моннан тыш, бәяләү саны, процедурасы һәм төре шулай ук пакетның тышкы кыяфәтенә карап үзгәрәчәк.
Язучы бәяләү
Беренче көннәрдә, тышкы көч кулланып, "сындыру" бүлешү өчен бердәнбер бәяләү ысулы идеваферГексадронга үлә. Ләкин, бу ысулның кечкенә чип читен кисү яки ярылуның кимчелекләре бар. Моннан тыш, металл өслектәге буралар тулысынча алынмаганлыктан, киселгән өслек шулай ук бик тупас.
Бу проблеманы чишү өчен, "Скрипт" кисү ысулы барлыкка килде, ягъни "сындырганчы", өслеге.вафертирәнлекнең яртысына кадәр киселгән. "Скрипт", исеменнән күренгәнчә, ваферның алгы ягын алдан күрү өчен (ярты киселгән) этәргеч куллануны аңлата. Беренче көннәрдә, 6 дюймнан түбән вафиннарның күбесе бу кисү ысулын башта чиплар арасында "кисү", аннары "өзү" кулланган.
Блэйд бәяләү яки блед күрү
"Скрибинг" кисү ысулы әкренләп "Blade dising" кисү (яки кисү) ысулына әверелде, бу ике-өч тапкыр пычак кулланып кисү ысулы. "Блэйд" кисү ысулы кечкенә "чиплар" "скрипка" ясаганнан соң "өзелгәндә" суырылган феноменны каплый ала, һәм "ялгызлык" процессында кечкенә фишкаларны саклый ала. "Пычак" кисү элеккеге "бәяләү" кисүеннән аерылып тора, ягъни "пычак" киселгәннән соң, ул "өзелми", ә яңадан пычак белән киселә. Шуңа күрә ул шулай ук “адым бәяләү” ысулы дип атала.
Ваферны кисү процессында тышкы зыяннан саклау өчен, куркынычсыз “ялгыз” булуны тәэмин итү өчен, ваферга алдан фильм кулланылачак. "Арткы тарту" процессында фильм ваферның алгы өлешенә бәйләнәчәк. Ләкин, киресенчә, "пычак" кисүдә фильм вафин артына беркетелергә тиеш. Эвтектик үлем бәйләнеше вакытында (үлгән бәйләнеш, PCB яки тоташтырылган рамкада аерылган фишкаларны төзәтү), артка бәйләнгән фильм автоматик рәвештә төшеп калачак. Кисү вакытында зур сүрелү аркасында, DI суы төрле якка өзлексез сиптерелергә тиеш. Моннан тыш, этәргеч алмаз кисәкчәләре белән бәйләнергә тиеш, шулай итеп кисәкләр яхшырак киселергә мөмкин. Бу вакытта киселгән (пычак калынлыгы: трюк киңлеге) бертөрле булырга тиеш һәм бәяләү трюкының киңлегеннән артмаска тиеш.
Озак вакыт традицион кисү ысулы иң киң кулланылган. Аның иң зур өстенлеге - ул кыска вакыт эчендә күп санлы ваферны кисә ала. Ләкин, кисәкнең туклану тизлеге зурайса, чиплет кырыен суырту мөмкинлеге артачак. Шуңа күрә, этәргечнең әйләнү саны минутына якынча 30,000 тапкыр контрольдә тотылырга тиеш. Күрергә була, ярымүткәргеч процесс технологиясе еш кына озак вакыт туплау һәм сынау һәм хаталар аша әкрен тупланган сер булып тора (эвтектик бәйләнешнең киләсе бүлегендә без кисү һәм DAF турында эчтәлек турында сөйләшәчәкбез).
Тегермәнгә кадәр бәяләү (DBG): кисү эзлеклелеге ысулны үзгәртте
Пычак кисү 8 дюймлы диаметрлы ваферда башкарылганда, чиплет читенең кабыгы яки ярылуы турында борчыласы юк. Ләкин вафин диаметры 21 дюймга кадәр артканда һәм калынлыгы бик нечкә булгач, кабыгы һәм ярылу күренешләре кабат күренә башлый. Кисү процессында ваферга физик йогынтысын сизелерлек киметү өчен, DBG ысулы "тарту алдыннан бәяләү" традицион кисү эзлеклелеген алыштыра. Традицион “пычак” кисү ысулыннан аермалы буларак, DBG башта “пычак” кисәген ясый, аннары чип бүленгәнче арткы ягын өзлексез киметеп, әкренләп калынлыкны нечкә итә. DBG - элеккеге "пычак" кисү ысулының яңартылган версиясе дип әйтергә мөмкин. Икенче кисү тәэсирен киметә алганга, DBG ысулы "вафер дәрәҗәсендәге упаковкада" тиз популярлашты.
Лазер бәяләү
Вафер дәрәҗәсендәге чип масштаблы пакет (WLCSP) процессы нигездә лазер кисүне куллана. Лазер кисү кабыгы һәм ярылуы кебек күренешләрне киметергә мөмкин, шуның белән сыйфатлы чиплар алырга мөмкин, ләкин вафин калынлыгы 100μмнан артканда, җитештерүчәнлек сизелерлек кимиячәк. Шуңа күрә ул күбесенчә калынлыгы 100μm (чагыштырмача нечкә) булган ваферларда кулланыла. Лазер кисү кремнийны вафинның язучы трюкына югары энергияле лазер кулланып кисә. Ләкин, гадәти лазерны (Гадәттәге Лазер) кисү ысулын кулланганда, саклагыч пленка вафин өслегенә алдан кулланылырга тиеш. Вафер өслеген лазер белән җылыту яки нурландыру сәбәпле, бу физик контактлар вафер өслегендә трюклар чыгарачак, һәм киселгән кремний кисәкләре дә өскә ябышачак. Традицион лазер кисү ысулы шулай ук вафин өслеген кисә, һәм бу яктан ул "пычак" кисү ысулына охшаган.
Урлау бәяләү (SD) - башта ваферның эчләрен лазер энергиясе белән кисү, аннары тышкы басымны вату өчен аркасына бәйләнгән тасмага куллану, шипны аеру. Арткы тасмага басым ясалганда, вафат магнитофонның сузылуы аркасында шундук өскә күтәреләчәк, шуның белән чипны аера. Традицион лазер кисү ысулыннан SD-ның өстенлекләре: беренчедән, кремний калдыклары юк; икенчедән, керф (Керф: язучы трюкының киңлеге) тар, шуңа күрә күбрәк чиплар алырга мөмкин. Моннан тыш, кабыклау һәм ярылу күренеше SD ысулы ярдәмендә бик киметеләчәк, бу кисүнең гомуми сыйфаты өчен бик мөһим. Шуңа күрә SD ысулы киләчәктә иң популяр технологиягә әйләнергә мөмкин.
Плазма бәяләү
Плазманы кисү - күптән түгел эшләнгән технология, ул җитештерү (Fab) процессында кисү өчен плазма эфирын куллана. Плазманы кисү сыеклык урынына ярым газ материалларын куллана, шуңа күрә әйләнә-тирә мохиткә йогынты чагыштырмача аз. Вафинны берьюлы кисү ысулы кабул ителә, шуңа күрә “кисү” тизлеге чагыштырмача тиз. Ләкин, плазма ысулы химик реакция газын чимал итеп куллана, һәм эшкәртү процессы бик катлаулы, шуңа күрә аның процесс агымы чагыштырмача авыр. Ләкин "пычак" кисү һәм лазер кисү белән чагыштырганда, плазманы кисү вафин өслегенә зыян китерми, шуның белән җитешсезлек дәрәҗәсен киметә һәм күбрәк чиплар ала.
Күптән түгел, вафин калынлыгы 30μмга кадәр кимегәнгә, һәм күп бакыр (Cu) яки түбән диэлектрик даими материаллар (Түбән К) кулланыла. Шуңа күрә, бурр (Burr) булдырмас өчен, плазманы кисү ысуллары да өстенлек биреләчәк. Әлбәттә, плазманы кисү технологиясе даими үсештә. Якын киләчәктә бер көнне махсус битлек киеп йөрергә кирәк булмаячак, чөнки бу плазманы кисүнең төп юнәлеше.
Вафиннарның калынлыгы өзлексез 100μмнан 50μмга кадәр, аннары 30μмга кадәр кимегәнгә, мөстәкыйль чиплар алу өчен кисү ысуллары да үзгәрә һәм үсә, "сындыру" һәм "пычак" кисүдән лазер кисү һәм плазма кисүгә кадәр. Growingитлеккән кисү ысуллары кисү процессының җитештерү бәясен арттырса да, икенче яктан, ярымүткәргеч чип кисүдә еш очрый торган кабыгы һәм ярылуы кебек теләмәгән күренешләрне сизелерлек киметеп, берәмлек вафына алынган чиплар санын арттырып. , бер чипның җитештерү бәясе төшү тенденциясен күрсәтте. Әлбәттә, вафинның берәмлеге мәйданына алынган чиплар санының артуы бәяләү урамының киңлегенең кимүе белән тыгыз бәйле. Плазманы кисү ярдәмендә, "пычак" кисү ысулын куллану белән чагыштырганда, якынча 20% чип алырга мөмкин, бу шулай ук кешеләрнең плазма кисүне сайлавының төп сәбәбе. Ваферларның үсеше һәм үзгәрүе, чипның тышкы кыяфәте һәм төрү ысуллары белән, вафер эшкәртү технологиясе һәм DBG кебек төрле кисү процесслары да барлыкка килә.
Пост вакыты: 10-2024 октябрь