Haberler

Üçüncü nesil yarı iletken GaN ve ilgili epitaksiyel teknolojiye giriş
admin tarafından 24-06-25 tarihinde
1. Üçüncü nesil yarı iletkenler Birinci nesil yarı iletken teknolojisi, Si ve Ge gibi yarı iletken malzemeler temel alınarak geliştirildi. Transistörlerin ve entegre devre teknolojisinin geliştirilmesinin maddi temelidir. Birinci nesil yarı iletken malzemeler temelleri attı...
Devamını oku
Gözenekli grafitin silisyum karbür kristal büyümesine etkisi üzerine sayısal simülasyon çalışması
admin tarafından 24-06-18 tarihinde
SiC kristal büyümesinin temel süreci, hammaddelerin yüksek sıcaklıkta süblimleşmesine ve ayrışmasına, gaz fazındaki maddelerin sıcaklık gradyanının etkisi altında taşınmasına ve tohum kristalinde gaz fazındaki maddelerin yeniden kristalleşme büyümesine bölünmüştür. Buna dayanarak,...
Devamını oku
Özel Grafit Çeşitleri
admin tarafından 24-06-17 tarihinde
Özel grafit, yüksek saflıkta, yüksek yoğunluklu ve yüksek mukavemetli bir grafit malzemesidir ve mükemmel korozyon direncine, yüksek sıcaklık stabilitesine ve mükemmel elektrik iletkenliğine sahiptir. Yüksek sıcaklıkta ısıl işlem ve yüksek basınç işleminden sonra doğal veya yapay grafitten yapılmıştır...
Devamını oku
İnce film biriktirme ekipmanının analizi – PECVD/LPCVD/ALD ekipmanının prensipleri ve uygulamaları
admin tarafından 24-06-12 tarihinde
İnce film biriktirme, yarı iletkenin ana altlık malzemesi üzerine bir film tabakasının kaplanmasıdır. Bu film, yalıtkan bileşik silikon dioksit, yarı iletken polisilikon, metal bakır vb. gibi çeşitli malzemelerden yapılabilir. Kaplama için kullanılan ekipmana ince film biriktirme adı verilir...
Devamını oku
Monokristal silikon büyümesinin kalitesini belirleyen önemli malzemeler – termal alan
admin tarafından 24-06-12 tarihinde
Monokristal silisyumun büyüme süreci tamamen termal alanda gerçekleştirilir. İyi bir termal alan, kristallerin kalitesinin iyileştirilmesine yardımcı olur ve daha yüksek bir kristalizasyon verimliliğine sahiptir. Termal alanın tasarımı büyük ölçüde sıcaklık gradyanlarındaki değişiklikleri belirler...
Devamını oku
Silisyum karbür kristal büyütme fırınının teknik zorlukları nelerdir?
admin tarafından 24-06-07 tarihinde
Kristal büyütme fırını, silisyum karbür kristal büyümesi için temel ekipmandır. Geleneksel kristalin silikon sınıfı kristal büyütme fırınına benzer. Fırın yapısı çok karmaşık değildir. Esas olarak fırın gövdesi, ısıtma sistemi, bobin iletim mekanizmasından oluşur...
Devamını oku
Silisyum karbür epitaksiyel tabakanın kusurları nelerdir?
admin tarafından 24-06-05 tarihinde
SiC epitaksiyel malzemelerin büyütülmesine yönelik temel teknoloji, öncelikle kusur kontrol teknolojisidir, özellikle de cihaz arızasına veya güvenilirliğin bozulmasına yatkın olan kusur kontrol teknolojisine yöneliktir. Epi içine uzanan substrat kusurlarının mekanizmasının incelenmesi ...
Devamını oku
Oksitlenmiş duran tahıl ve epitaksiyel büyüme teknolojisi-Ⅱ
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
3. Epitaksiyel ince film büyümesi Alt tabaka, Ga2O3 güç cihazları için fiziksel bir destek katmanı veya iletken katman sağlar. Bir sonraki önemli katman, voltaj direnci ve taşıyıcı taşınması için kullanılan kanal katmanı veya epitaksiyel katmandır. Arıza voltajını arttırmak ve iletkenliği en aza indirmek için ...
Devamını oku
Galyum oksit tek kristal ve epitaksiyel büyüme teknolojisi
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
Silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrür (GaN) ile temsil edilen geniş bant aralıklı (WBG) yarı iletkenler geniş çapta ilgi görmüştür. İnsanların elektrikli araçlarda ve elektrik şebekelerinde silisyum karbürün uygulama olanaklarının yanı sıra galyumun uygulama olanakları konusunda da yüksek beklentileri var...
Devamını oku