ส่วนฮาล์ฟมูนกราไฟท์เคลือบ SiCis a สำคัญส่วนประกอบที่ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะสำหรับอุปกรณ์ SiC epitaxisเราใช้เทคโนโลยีที่ได้รับการจดสิทธิบัตรของเราเพื่อสร้างส่วนฮาล์ฟมูนด้วยมีความบริสุทธิ์สูงมากดีการเคลือบความสม่ำเสมอและอายุการใช้งานที่ดีเยี่ยมเช่นเดียวกับทนต่อสารเคมีสูงและมีคุณสมบัติคงตัวทางความร้อน
เวท พลังงาน คือ ที่ผู้ผลิตผลิตภัณฑ์กราไฟท์และซิลิกอนคาร์ไบด์แบบกำหนดเองอย่างแท้จริงพร้อมการเคลือบ CVDสามารถจัดหาได้หลากหลายชิ้นส่วนที่กำหนดเองสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ Oทีมเทคนิคของคุณมาจากสถาบันวิจัยชั้นนำในประเทศ สามารถจัดหาโซลูชั่นวัสดุที่เป็นมืออาชีพมากขึ้นสำหรับคุณ.
เราพัฒนากระบวนการขั้นสูงอย่างต่อเนื่องเพื่อจัดหาวัสดุขั้นสูงมากขึ้นและได้พัฒนาเทคโนโลยีที่ได้รับการจดสิทธิบัตรเฉพาะ ซึ่งสามารถทำให้เกิดการยึดเกาะระหว่างสารเคลือบและพื้นผิวได้แน่นขึ้น และมีแนวโน้มที่จะหลุดออกน้อยลง
Fคุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ของเรา:
1. ทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูงถึง 1700℃.
2. มีความบริสุทธิ์สูงและความสม่ำเสมอทางความร้อน
3. ทนต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม: กรด ด่าง เกลือ และรีเอเจนต์อินทรีย์
4. มีความแข็งสูง พื้นผิวกะทัดรัด อนุภาคละเอียด
5. อายุการใช้งานยาวนานขึ้นและทนทานมากขึ้น
| ซีวีดี SiC薄膜基本物理性能 คุณสมบัติทางกายภาพพื้นฐานของ CVD SiCการเคลือบ | |
| 性质 / คุณสมบัติ | 典型数值 / ค่าทั่วไป |
| 晶体结构 /โครงสร้างคริสตัล | เฟส FCC β多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / ความหนาแน่น | 3.21 ก./ซม.³ |
| 硬度 /ความแข็ง | 2,500 กระป๋อง (โหลด 500 กรัม) |
| 晶粒大小 / เมล็ดข้าว SiZe | 2~10ไมโครเมตร |
| 纯度 / ความบริสุทธิ์ของสารเคมี | 99.99995% |
| 热容 /ความจุความร้อน | 640 เจ·กก-1·เค-1 |
| 升华温度 /อุณหภูมิระเหิด | 2,700 ℃ |
| 抗弯强度 / แรงดัดงอ | 415 MPa RT 4 จุด |
| 杨氏模量 / โมดูลัสของยัง | 430 Gpa 4pt โค้งงอ 1300 ℃ |
| 导热系数 / เธอร์มาลการนำไฟฟ้า | 300W·ม-1·เค-1 |
| 热膨胀系数 / การขยายตัวทางความร้อน(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ยินดีต้อนรับคุณอย่างอบอุ่นเพื่อเยี่ยมชมโรงงานของเรา มาพูดคุยกันเพิ่มเติม!
